时间：2025/8/17 0:14:58
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BSS138 是一款广泛使用的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用小信号封装（SOT-23），适用于各种低功率开关和逻辑电平转换应用。该器件由英飞凌科技（Infineon Technologies）推出，具有较高的开关速度和良好的热稳定性，适合在数字电路、接口电路以及电源管理系统中使用。由于其小型化封装和高性能特性，BSS138 常用于便携式电子产品、计算机外围设备、通信设备以及汽车电子系统中。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100mA
功耗（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
导通电阻（RDS(on)）：约 5Ω（在 VGS=10V）
输入电容（Ciss）：约 20pF
封装类型：SOT-23
BSS138 具有优异的开关性能和低导通电阻特性，使其在低功耗应用中表现出色。其高栅极绝缘能力（VGS 最大 ±20V）确保了在多种控制电路中的稳定运行。
该 MOSFET 的漏源耐压高达 100V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中低压开关场景。
此外，BSS138 采用 SOT-23 小型封装，便于在空间受限的设计中使用，并具备良好的热管理和散热能力。
该器件的开关速度较快，输入电容较低，适合高频应用，如信号切换、逻辑电平转换和负载开关控制。
由于其高可靠性与宽工作温度范围，BSS138 可广泛应用于工业控制、消费电子以及汽车电子系统中。
BSS138 主要用于需要低功耗、高速开关的电路中。常见应用包括数字电路中的开关控制、逻辑电平转换、LED 驱动、继电器驱动、电源管理模块以及接口电路。
在便携式设备中，该器件可用于电池供电系统的负载切换，以提高能效并延长电池寿命。
此外，BSS138 也常用于 I2C、SPI 等通信接口中的信号切换，以及在传感器电路中作为控制开关使用。
在汽车电子中，该 MOSFET 可用于车灯控制、仪表盘显示驱动以及车载信息娱乐系统的电源管理模块。
由于其良好的电气特性和小型化封装，BSS138 也常用于开发板、实验电路以及原型设计中。
2N7000, BS170, IRLML6401, FDN335N
