SDM20E40C-7-F 是一款基于 MOSFET 技术的功率开关器件,专为高频开关应用而设计。该产品采用先进的沟槽式 MOSFET 结构,具有较低的导通电阻和优异的开关性能,适用于各种电力电子设备中的功率转换和电机驱动场景。
该器件支持高电压操作,并且具备良好的热稳定性和抗干扰能力,能够有效降低系统能耗并提高整体效率。
型号:SDM20E40C-7-F
类型:N-Channel MOSFET
封装:TO-220AB
最大漏源极电压(Vdss):40V
最大连续漏极电流(Id):20A
栅极阈值电压(Vgs(th)):2.1V 至 4V
导通电阻(Rds(on)):7mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
总功耗(Ptot):140W
工作结温范围(Tj):-55℃ 至 +175℃
SDM20E40C-7-F 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
2. 快速开关速度,可满足高频应用需求,同时降低了开关损耗。
3. 高电流承载能力,确保在大功率负载下的稳定运行。
4. 内置 ESD 保护功能,增强器件的抗静电能力。
5. 支持宽泛的工作温度范围,适合工业级或汽车级应用环境。
6. 良好的热性能,优化散热表现以延长使用寿命。
这些特性使得 SDM20E40C-7-F 成为电源管理、DC-DC 转换器、逆变器及电机控制等领域的理想选择。
该器件广泛应用于多个领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS) 中的主开关管。
2. DC-DC 转换器的核心功率器件。
3. 各类逆变器中的功率输出级。
4. 电动工具、家用电器中的电机驱动电路。
5. 汽车电子系统中的负载切换与保护。
6. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
由于其出色的电气性能和可靠性,SDM20E40C-7-F 在多种复杂环境中均能表现出色。
IRFZ44N, FDP5580, STP20NF40