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SDM20E40C-7-F 发布时间 时间:2025/5/9 18:08:06 查看 阅读:11

SDM20E40C-7-F 是一款基于 MOSFET 技术的功率开关器件,专为高频开关应用而设计。该产品采用先进的沟槽式 MOSFET 结构,具有较低的导通电阻和优异的开关性能,适用于各种电力电子设备中的功率转换和电机驱动场景。
  该器件支持高电压操作,并且具备良好的热稳定性和抗干扰能力,能够有效降低系统能耗并提高整体效率。

参数

型号:SDM20E40C-7-F
  类型:N-Channel MOSFET
  封装:TO-220AB
  最大漏源极电压(Vdss):40V
  最大连续漏极电流(Id):20A
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2.1V 至 4V
  导通电阻(Rds(on)):7mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  总功耗(Ptot):140W
  工作结温范围(Tj):-55℃ 至 +175℃

特性

SDM20E40C-7-F 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关速度,可满足高频应用需求,同时降低了开关损耗。
  3. 高电流承载能力,确保在大功率负载下的稳定运行。
  4. 内置 ESD 保护功能,增强器件的抗静电能力。
  5. 支持宽泛的工作温度范围,适合工业级或汽车级应用环境。
  6. 良好的热性能,优化散热表现以延长使用寿命。
  这些特性使得 SDM20E40C-7-F 成为电源管理、DC-DC 转换器、逆变器及电机控制等领域的理想选择。

应用

该器件广泛应用于多个领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS) 中的主开关管。
  2. DC-DC 转换器的核心功率器件。
  3. 各类逆变器中的功率输出级。
  4. 电动工具、家用电器中的电机驱动电路。
  5. 汽车电子系统中的负载切换与保护。
  6. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
  由于其出色的电气性能和可靠性,SDM20E40C-7-F 在多种复杂环境中均能表现出色。

替代型号

IRFZ44N, FDP5580, STP20NF40

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SDM20E40C-7-F参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)500mV @ 200mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电70µA @ 25V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)400mA(DC)
  • 电压 - (Vr)(最大)40V
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 二极管类型肖特基
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SC-59-3
  • 包装剪切带 (CT)
  • 其它名称SDM20E40C-7-FCT