时间：2025/5/30 13:59:15
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GA1210Y684KBXAT31G 是一款高性能的存储芯片，属于 NAND Flash 类型。该芯片广泛应用于需要大容量数据存储的场景，例如固态硬盘（SSD）、USB 闪存盘和嵌入式系统等。其采用先进的制程工艺制造，具备高可靠性和快速读写性能。
该型号支持多种接口协议，并通过优化设计降低功耗，在便携式设备和数据中心领域具有显著优势。
类型：NAND Flash
容量：128GB
接口：Toggle DDR 3.0
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
引脚数：169
数据传输速率：最高可达 533 MT/s
擦写寿命：3000 次（典型值）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
GA1210Y684KBXAT31G 提供卓越的数据存储解决方案，主要特点包括：
1. 高密度存储能力，单颗芯片即可实现高达 128GB 的容量。
2. 支持 Toggle DDR 3.0 接口协议，能够提供更快的数据传输速度。
3. 先进的 ECC 纠错机制确保数据完整性，减少因存储介质老化引起的错误。
4. 超低功耗设计，适合对电池续航有严格要求的移动设备。
5. 广泛的工作温度范围使其适应各种恶劣环境下的应用需求。
6. 高可靠性，经过严格测试以满足工业级标准。
这款芯片适用于以下场景：
1. 固态硬盘（SSD），作为主存储单元提升整体性能。
2. USB 闪存盘及存储卡，为消费者提供大容量便捷存储方案。
3. 嵌入式系统，如汽车电子、工业控制和网络通信设备中的本地数据存储。
4. 数据中心和服务器领域，用作缓存或冷数据存储媒介。
5. 消费类电子产品，例如平板电脑、智能手机和其他便携式设备。
GA1210Y684KAXAT31G
GA1210Y684KBXBT31G
GA1210Y684KCXAT31G
