GA1210Y684KBXAT31G 是一款高性能的存储芯片,属于 NAND Flash 类型。该芯片广泛应用于需要大容量数据存储的场景,例如固态硬盘(SSD)、USB 闪存盘和嵌入式系统等。其采用先进的制程工艺制造,具备高可靠性和快速读写性能。
该型号支持多种接口协议,并通过优化设计降低功耗,在便携式设备和数据中心领域具有显著优势。
类型:NAND Flash
容量:128GB
接口:Toggle DDR 3.0
工作电压:1.8V
封装形式:BGA
引脚数:169
数据传输速率:最高可达 533 MT/s
擦写寿命:3000 次(典型值)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
GA1210Y684KBXAT31G 提供卓越的数据存储解决方案,主要特点包括:
1. 高密度存储能力,单颗芯片即可实现高达 128GB 的容量。
2. 支持 Toggle DDR 3.0 接口协议,能够提供更快的数据传输速度。
3. 先进的 ECC 纠错机制确保数据完整性,减少因存储介质老化引起的错误。
4. 超低功耗设计,适合对电池续航有严格要求的移动设备。
5. 广泛的工作温度范围使其适应各种恶劣环境下的应用需求。
6. 高可靠性,经过严格测试以满足工业级标准。
这款芯片适用于以下场景:
1. 固态硬盘(SSD),作为主存储单元提升整体性能。
2. USB 闪存盘及存储卡,为消费者提供大容量便捷存储方案。
3. 嵌入式系统,如汽车电子、工业控制和网络通信设备中的本地数据存储。
4. 数据中心和服务器领域,用作缓存或冷数据存储媒介。
5. 消费类电子产品,例如平板电脑、智能手机和其他便携式设备。
GA1210Y684KAXAT31G
GA1210Y684KBXBT31G
GA1210Y684KCXAT31G