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GA1210Y684KBXAT31G 发布时间 时间:2025/5/30 13:59:15 查看 阅读:9

GA1210Y684KBXAT31G 是一款高性能的存储芯片,属于 NAND Flash 类型。该芯片广泛应用于需要大容量数据存储的场景,例如固态硬盘(SSD)、USB 闪存盘和嵌入式系统等。其采用先进的制程工艺制造,具备高可靠性和快速读写性能。
  该型号支持多种接口协议,并通过优化设计降低功耗,在便携式设备和数据中心领域具有显著优势。

参数

类型:NAND Flash
  容量:128GB
  接口:Toggle DDR 3.0
  工作电压:1.8V
  封装形式:BGA
  引脚数:169
  数据传输速率:最高可达 533 MT/s
  擦写寿命:3000 次(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

GA1210Y684KBXAT31G 提供卓越的数据存储解决方案,主要特点包括:
  1. 高密度存储能力,单颗芯片即可实现高达 128GB 的容量。
  2. 支持 Toggle DDR 3.0 接口协议,能够提供更快的数据传输速度。
  3. 先进的 ECC 纠错机制确保数据完整性,减少因存储介质老化引起的错误。
  4. 超低功耗设计,适合对电池续航有严格要求的移动设备。
  5. 广泛的工作温度范围使其适应各种恶劣环境下的应用需求。
  6. 高可靠性,经过严格测试以满足工业级标准。

应用

这款芯片适用于以下场景:
  1. 固态硬盘(SSD),作为主存储单元提升整体性能。
  2. USB 闪存盘及存储卡,为消费者提供大容量便捷存储方案。
  3. 嵌入式系统,如汽车电子、工业控制和网络通信设备中的本地数据存储。
  4. 数据中心和服务器领域,用作缓存或冷数据存储媒介。
  5. 消费类电子产品,例如平板电脑、智能手机和其他便携式设备。

替代型号

GA1210Y684KAXAT31G
  GA1210Y684KBXBT31G
  GA1210Y684KCXAT31G

GA1210Y684KBXAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.68 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-