时间：2025/6/30 19:03:20
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ZXM61P02FTC 是一款由英飞凌（Infineon）推出的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种需要高效功率转换的应用场景。
这款MOSFET的主要特点是其出色的性能参数，例如较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高整体效率。此外，它还具备良好的热稳定性和耐受性，能够在较高的工作温度范围内可靠运行。
型号：ZXM61P02FTC
类型：N-Channel MOSFET
封装形式：TO-252 (DPAK)
Vds（漏源极电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：3.9mΩ（典型值，当Vgs=10V时）
Id（连续漏极电流）：37A
Ptot（总功耗）：84W
Vgs（栅源极电压）：±20V
f（工作频率）：支持高频开关应用
Tj（结温范围）：-55°C 至 +175°C
ZXM61P02FTC 具有非常低的导通电阻，这使得它在功率转换应用中表现优异，可以有效降低导通损耗。
该元件采用 TO-252 封装形式，这种封装提供了良好的散热性能，适合表面贴装技术（SMT）。此外，它的高击穿电压（60V）和较大的漏极电流能力（37A），使其非常适合用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等应用场景。
MOSFET 的开关速度快，能够显著降低开关过程中的能量损耗，同时其高温稳定性也确保了它在严苛环境下的可靠运行。
ZXM61P02FTC 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级控制
2. 直流-直流转换器的设计
3. 负载开关电路
4. 电池管理与保护系统
5. 各种类型的电机驱动器
6. 可再生能源设备如太阳能逆变器中的功率处理模块
由于其高效的功率传输能力和可靠的性能，这款 MOSFET 成为许多功率敏感型应用的理想选择。
ZXM50P03FTA, IRFZ44N, FDP18N06L
