型号：SDM02M30LP3-7B
　　类型：双N沟道MOSFET
　　封装：DFN2020-6
　　通道数：2
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID) @ 25°C：8.2A
　　脉冲漏极电流(IDM)：33A
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS=4.5V：7.7mΩ
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS=2.5V：10.5mΩ
　　栅极电荷(Qg) @ VGS=4.5V：8.5nC
　　输入电容(Ciss)：520pF
　　输出电容(Coss)：190pF
　　反向恢复时间(trr)：18ns
　　工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
　　热阻(θJA)：45°C/W
　　热阻(θJC)：4.5°C/W
　　极性：标准型
　　配置：共源极
　　阈值电压(VGS(th))：1.0V ~ 2.0V

SDM02M30LP3-7B采用先进的TrenchFET?沟槽工艺技术，显著降低了导通电阻与栅极电荷，从而实现了卓越的功率转换效率。其低RDS(on)特性在VGS=4.5V时仅为7.7mΩ，在同类双N-MOSFET产品中处于领先水平，能够有效降低传导损耗，特别适用于大电流开关电源和同步整流电路。此外，该器件在低至2.5V的栅压下仍能保持良好的导通能力（RDS(on) = 10.5mΩ），兼容现代低电压微控制器和逻辑IC的直接驱动需求，无需额外电平转换电路。
　　该器件具有出色的动态性能参数，包括低输入电容（Ciss=520pF）和极小的反向传输电容（Crss=65pF），大幅减小了高频开关过程中的驱动功耗和噪声干扰。其栅极电荷Qg仅8.5nC，意味着更短的开关时间和更低的开关损耗，有利于提升DC-DC变换器的工作频率并缩小外围元件尺寸。同时，快速的反向恢复时间（trr=18ns）降低了体二极管在续流期间的能量损耗，进一步提升了系统能效。
　　热管理方面，DFN2020-6封装具备优良的散热性能，热阻θJC低至4.5°C/W，确保在高负载条件下热量能高效传递至PCB，避免局部过热导致性能下降或失效。器件支持高达+150°C的最大结温，具备较强的热稳定性。集成的ESD保护结构可承受人体模型（HBM）8kV以上的静电放电冲击，增强了生产装配和使用过程中的鲁棒性。
　　SDM02M30LP3-7B通过AEC-Q101认证，表明其在温度循环、高温反偏、高压应力等可靠性测试中表现优异，适用于汽车电子系统。其无铅、无卤素的环保设计也满足现代绿色制造的要求。整体而言，该器件在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，是高密度电源设计的理想选择。

SDM02M30LP3-7B广泛应用于需要高效、小型化电源解决方案的各类电子系统中。典型应用包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式产品的电池管理与电源开关控制；在这些设备中，该器件常用于负载开关、背光驱动或多路电源路径管理，以实现低静态功耗和快速响应。此外，它也是同步降压型DC-DC转换器中的关键元件，作为上下桥臂开关管使用，尤其适用于输出电流较大且对效率要求高的场景。
　　在工业控制领域，该MOSFET可用于电机驱动、传感器供电模块以及PLC中的信号切换电路。由于其具备AEC-Q101认证，因此也被广泛应用于汽车电子系统，如车载摄像头电源、LED照明驱动、HVAC控制系统、车载充电器（OBC）辅助电源以及车身电子模块（如门锁、天窗控制）中。其小尺寸封装有助于节省宝贵的PCB空间，适应汽车电子日益紧凑的设计趋势。
　　在通信设备中，该器件可用于基站电源模块、PoE（以太网供电）受电端（PD）的同步整流，以及服务器主板上的点负载转换器（Point-of-Load Converter）。其低导通损耗和高开关速度有助于提高数据中心电源系统的整体能效，降低运营成本。此外，也可用于USB PD快充适配器、无线充电发射端的功率开关，以及其他对热性能和空间布局有严格要求的高功率密度电源设计中。

DMG2307LSSD-13
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