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IRLS3034-7PPBF 发布时间 时间：2023/3/8 11:13:04 查看 阅读：686

    类别：分离式半导体产品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 单

    系列：HEXFET?

    

目录

概述

    类别：分离式半导体产品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 单

    系列：HEXFET?

    FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

    FET 特点：逻辑电平门

    开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.4 毫欧 @ 200A, 10V

    漏极至源极电压(Vdss)：40V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：240A

    Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250μA

    闸电荷(Qg) @ Vgs：180nC @ 4.5V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：10990pF @ 40V

    功率 - 最大：380W

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：D2Pak, TO-263 (6 引线 + 接片)

    包装：管件

    供应商设备封装：D2PAK (7-Lead)


资料

厂商
Infineon Technologies

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IRLS3034-7PPBF产品

IRLS3034-7PPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C240A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C1.4 毫欧 @ 200A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs180nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds10990pF @ 40V
  • 功率 - 最大380W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB
  • 供应商设备封装D2PAK（7-Lead）
  • 包装管件

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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