品牌：Samsung Electro-Mechanics
　　产品类型：陶瓷电容
　　封装/尺寸：0805（2012）
　　电容值：2.2μF
　　容差：±20%
　　额定电压：16V DC
　　温度特性：X7R（-55°C ~ +125°C）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　介质材料：陶瓷（Class II, X7R）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　最小包装数量：4000只
　　包装形式：卷带（Tape & Reel）
　　老化温度：+20°C ±5°C
　　电容测量频率：1kHz
　　直流偏压特性：随电压升高电容值下降（典型X7R行为）

CL21F225Z0NE作为一款高性能的多层陶瓷电容（MLCC），其最显著的特性之一是采用了X7R类II型陶瓷介质材料，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值变化不超过±15%，确保了在不同环境条件下的电气稳定性。这对于需要长期可靠运行的电子系统尤为重要，例如电源管理模块或信号调理电路。该电容的2.2μF大容量在0805小尺寸封装中实现，体现了先进的叠层制造工艺和高介电常数材料的应用优势，有助于减少PCB占用空间，提升整体电路集成度。然而，需要注意的是，类II介质（如X7R）存在明显的直流偏压效应，即随着施加电压接近额定电压，实际电容值会显著下降，因此在设计时应参考厂商提供的DC偏压曲线进行降额使用，避免因有效电容不足导致滤波或去耦性能下降。
　　此外，CL21F225Z0NE具有低等效串联电阻（ESR）和较低的等效串联电感（ESL），使其在高频去耦应用中表现出色，能够有效抑制电源噪声和瞬态电压波动，提高数字系统的稳定性。其表面贴装结构支持回流焊工艺，兼容现代自动化生产线，提升了制造效率和焊接可靠性。产品符合AEC-Q200等可靠性标准的部分测试项目（具体需查阅最新规格书），适用于对可靠性有一定要求的应用场景。同时，该器件无磁性，不会干扰敏感的模拟或射频电路，适合用于高精度传感器接口或通信模块中。尽管其容差为±20%，相对宽松，但在大多数非谐振类应用中仍可接受。总体而言，CL21F225Z0NE是一款兼顾性能、尺寸与成本的通用型贴片电容，特别适合用于去耦、平滑滤波和中等精度的定时电路中。

CL21F225Z0NE因其稳定的电气性能和紧凑的封装尺寸，被广泛应用于多种电子系统中。在电源管理领域，它常用于开关电源（SMPS）、低压差稳压器（LDO）的输入和输出端进行滤波与储能，有效降低纹波电压并提升动态响应能力。在数字电路中，该电容广泛用于微处理器、FPGA、ASIC和存储器芯片的电源引脚附近，作为去耦电容以吸收高频电流尖峰，防止电源噪声传播至敏感逻辑单元，从而保障系统稳定运行。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备中，CL21F225Z0NE凭借其小体积和高可靠性，成为主板上常见的被动元件之一。
　　此外，在通信设备中，该电容可用于信号路径的交流耦合、阻抗匹配网络中的滤波环节，以及射频前端模块的偏置电路旁路。在工业控制系统中，PLC模块、传感器信号调理板和人机界面设备也大量使用此类电容来增强抗干扰能力和电磁兼容性（EMC）。汽车电子中的信息娱乐系统、车身控制模块和辅助驾驶系统同样采用CL21F225Z0NE进行电源去耦和噪声抑制，尤其在非动力总成类应用中表现良好。另外，该器件还适用于各类DC-DC转换器、AC-DC适配器、LED驱动电源等功率电子设备中，作为中间储能或输出滤波元件。由于其工作温度范围宽，也能适应较为严苛的环境条件。总之，CL21F225Z0NE是一款通用性强、适用范围广的MLCC器件，几乎覆盖了所有需要中等容量、中等电压等级陶瓷电容的现代电子应用场景。

GRM21BR71C225KA93L
　　TCJ21AF-225KAB
　　C2012X7R1C225K