类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：900V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：2A
　　最大功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

SSR2N90A具有多项显著特性，使其在各种功率电子应用中表现出色。首先，其高耐压能力（最大漏源电压900V）使其适用于高压电源和高能效转换器设计。其次，低导通电阻减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。此外，该器件具备优异的热稳定性，能够在较高温度下稳定运行，适用于严苛的工作环境。
　　SSR2N90A的栅极驱动特性也经过优化，确保快速开关操作并减少开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。其TO-220封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和散热片连接，进一步增强了器件的可靠性和热管理能力。
　　另外，该MOSFET具备良好的抗过载和抗短路能力，能够在突发性过载或短路情况下提供一定的保护作用，避免器件损坏。这种特性在电机驱动、电源管理以及工业控制系统中尤为重要。

SSR2N90A广泛应用于多种高功率电子系统中，尤其适合于需要高电压和高效率的场合。例如，在开关电源（SMPS）中，该器件可用于主开关管，实现高效的能量转换。在DC-DC转换器和逆变器中，SSR2N90A的高频开关特性可提升系统效率并减小整体尺寸。此外，它也常用于电机控制电路，如电动工具、工业自动化设备和家电电机驱动器。
　　由于其高耐压和低导通电阻，该MOSFET还适用于LED照明驱动器、电池管理系统和电能质量控制设备。在工业和汽车电子系统中，SSR2N90A也常用于继电器替代方案，提供更可靠和长寿命的电子开关解决方案。

IRF9N90C, STP2N90K5, FQP2N90