时间：2025/4/28 17:31:17
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SDINDDH6-128G-XA 是一款高性能的工业级 NAND 闪存芯片，主要用于数据存储应用。该型号属于三星电子（Samsung）推出的 V-NAND 系列，采用先进的 TLC（Triple-Level Cell）技术，提供大容量和高可靠性的存储解决方案。
此芯片广泛应用于嵌入式系统、固态硬盘（SSD）、监控设备以及工业控制领域。其设计注重耐用性和稳定性，适用于需要频繁读写操作的工作环境。
容量：128GB
接口类型：Toggle DDR 3.0
存储单元类型：TLC
工作电压：1.8V
数据传输速率：最高可达 533 MT/s
擦写寿命：约 30形式：BGA 169 球
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据保存时间：超过 10 年
SDINDDH6-128G-XA 具备以下主要特性：
1. 高密度存储能力，能够在小型封装中实现大容量存储。
2. 支持 Toggle DDR 3.0 接口协议，确保高速数据传输性能。
3. 使用 TLC 技术，在成本效益与性能之间取得平衡。
4. 工业级工作温度范围，适合极端环境下的稳定运行。
5. 提供较长的数据保存时间和较高的擦写寿命，满足关键任务型应用场景的需求。
6. 内置 ECC（Error Correction Code）引擎，有效降低数据错误率，提升整体可靠性。
7. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
该芯片的应用场景包括但不限于：
1. 嵌入式系统的内部存储扩展。
2. 固态硬盘（SSD）的设计与制造。
3. 视频监控系统的连续录像存储。
4. 工业自动化设备中的程序和数据存储。
5. 医疗设备及汽车电子领域的非易失性存储需求。
6. 任何对存储容量、速度和可靠性有较高要求的产品开发。
SDINDDH5-128G-XA
K9WBG0U5M
TH58TVG8T23BAI
