IRFR13N20DTR 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沱道 场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 DPAK 封装,广泛应用于高效率开关电源、电机驱动和逆变器等场景。
这款 MOSFET 具有较低的导通电阻和良好的开关特性,能够在高频条件下提供高效的功率转换。同时,其出色的热性能使其在紧凑型设计中表现出色。
最大漏源电压:200V
连续漏极电流:4.5A
导通电阻(典型值):0.27Ω
栅极电荷(典型值):9nC
输入电容(典型值):630pF
功耗:1.8W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
IRFR13N20DTR 的主要特性包括以下几点:
1. 高击穿电压能力,确保在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻 (Rds(on)) 可减少功率损耗,提升系统效率。
3. 快速开关速度,适合高频应用场合。
4. 良好的热稳定性,支持长时间高温工作。
5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
6. 紧凑型封装有助于节省 PCB 空间。
IRFR13N20DTR 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率控制单元。
3. 各类逆变器模块,如太阳能逆变器。
4. 工业自动化设备中的功率管理部分。
5. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的应用。
6. 电池充电器及 DC/DC 转换器的核心组件。
IRFZ44N
STP36NF06
IXFN480P
FDP025N20A