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IRFR13N20DTR 发布时间 时间:2025/7/12 0:03:00 查看 阅读:10

IRFR13N20DTR 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沱道 场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 DPAK 封装,广泛应用于高效率开关电源、电机驱动和逆变器等场景。
  这款 MOSFET 具有较低的导通电阻和良好的开关特性,能够在高频条件下提供高效的功率转换。同时,其出色的热性能使其在紧凑型设计中表现出色。

参数

最大漏源电压:200V
  连续漏极电流:4.5A
  导通电阻(典型值):0.27Ω
  栅极电荷(典型值):9nC
  输入电容(典型值):630pF
  功耗:1.8W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

IRFR13N20DTR 的主要特性包括以下几点:
  1. 高击穿电压能力,确保在高压环境下稳定运行。
  2. 低导通电阻 (Rds(on)) 可减少功率损耗,提升系统效率。
  3. 快速开关速度,适合高频应用场合。
  4. 良好的热稳定性,支持长时间高温工作。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
  6. 紧凑型封装有助于节省 PCB 空间。

应用

IRFR13N20DTR 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. 电机驱动电路中的功率控制单元。
  3. 各类逆变器模块,如太阳能逆变器。
  4. 工业自动化设备中的功率管理部分。
  5. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的应用。
  6. 电池充电器及 DC/DC 转换器的核心组件。

替代型号

IRFZ44N
  STP36NF06
  IXFN480P
  FDP025N20A

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IRFR13N20DTR参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C235 毫欧 @ 8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds830pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)