时间：2025/9/14 10:37:58
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PSMN3R0-60BS,118 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率密度和高效率的应用场景。该器件采用先进的Trench技术，具有低导通电阻和高开关性能。该MOSFET属于N沟道增强型，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等应用。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：120A
最大漏源电压（VDS）：60V
导通电阻（RDS(on)）：3mΩ
栅极电荷（Qg）：90nC
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerSO-10
功率耗散（Ptot）：100W
PSMN3R0-60BS,118 MOSFET采用了先进的Trench工艺，提供极低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件具有高电流承载能力，最大漏极电流可达120A，适合用于高功率应用。此外，该MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，仅为90nC，有助于减少开关损耗并提高开关频率，从而实现更高的电源转换效率。
该器件的封装形式为PowerSO-10，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于自动化生产和高可靠性要求的系统。PowerSO-10封装还具备较小的封装尺寸，有助于节省PCB空间，提高系统集成度。
PSMN3R0-60BS,118的工作温度范围为-55°C至175°C，具备良好的热稳定性和环境适应性，可在恶劣的工作条件下稳定运行。该器件的高耐用性和可靠性使其成为工业电源、服务器电源、电动汽车电池管理系统（BMS）和DC-DC转换器的理想选择。
此外，该MOSFET具有较低的开关损耗和导通损耗，能够在高频开关条件下保持较高的效率，适用于现代高效能电源系统。其增强型设计确保在栅极电压为零时，漏极和源极之间处于关断状态，提高了系统的安全性。
PSMN3R0-60BS,118 MOSFET广泛应用于各种高功率和高效率要求的电子系统中。在电源管理领域，该器件常用于同步整流、DC-DC转换器和负载开关设计，能够有效提高电源转换效率并降低功耗。在服务器电源和通信电源系统中，该MOSFET可用于高效率的功率转换模块，确保系统在高负载下稳定运行。
该器件也广泛应用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的电池管理系统（BMS），用于控制电池充放电过程，提高电池使用效率并延长使用寿命。此外，在工业自动化设备中，PSMN3R0-60BS,118可用于电机驱动、逆变器和功率控制模块，提供高效、可靠的功率开关解决方案。
由于其优异的热性能和高可靠性，该MOSFET还适用于需要高功率密度的设计，如便携式电源、不间断电源（UPS）以及高功率LED照明系统。同时，该器件也适用于电池供电设备，如电动工具、无人机和储能系统，能够在高负载条件下保持稳定的性能。
IPB065N06N3, INFET3R0N06S5AKMA1
