类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　容量：1 pF
　　容差：±0.3 pF
　　额定电压：50 V
　　介质材料：C0G/NPO
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　尺寸：0402（1.0 mm x 0.5 mm）

CC75CX1R1C7200 的主要特性之一是其优异的温度稳定性。由于采用了 C0G/NPO 介质材料，该电容器在整个工作温度范围内具有极小的容量变化，通常在 ±30 ppm/°C 以内。这种特性使其非常适合用于高精度的射频（RF）电路和振荡器中。
　　此外，该电容器具有低损耗因子（DF），这使得它在高频应用中表现出色，能够有效地减少信号损失和发热问题。它的直流偏置稳定性也非常好，在不同的电压条件下保持几乎不变的容量值。
　　从机械结构上看，CC75CX1R1C7200 具有小型化的 SMD 封装形式，便于自动化生产和节省 PCB 空间。同时，它的焊接性能良好，能够在标准的回流焊工艺下可靠地安装。
　　可靠性方面，该电容器经过严格的测试，符合 AEC-Q200 标准，适用于汽车电子和其他对可靠性要求高的应用场景。

由于其出色的电气特性和温度稳定性，CC75CX1R1C7200 被广泛应用于各种高性能电子设备中。例如，在射频（RF）模块中，它可以作为调谐电容或滤波元件，确保信号的准确传输和接收。在精密模拟电路中，如运算放大器的反馈网络或滤波器设计中，该电容器可以提供稳定的电气性能，避免因温度变化导致的误差。
　　在电源管理电路中，该电容器常用于去耦和噪声抑制，帮助提高系统的整体稳定性。同时，由于其低损耗特性，它也被广泛用于 DC-DC 转换器和 LDO 稳压器的输入/输出滤波电路中。
　　在汽车电子领域，CC75CX1R1C7200 可用于发动机控制单元（ECU）、车载娱乐系统和传感器接口电路中，满足这些系统对元器件长期稳定性和耐环境能力的要求。
　　此外，在工业控制系统、通信设备和医疗电子设备中，该电容器也是常用的元器件之一，为这些设备提供可靠的电气支持。

GRM0225C1H1R0CA01D (Murata), C1608C0G1R0C050B (TDK), CL05A1R1CQ5NNNC (Samsung)