型号：SDF04N60
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：4A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：16A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.95Ω，最大值1.2Ω（Vgs=10V, Id=2A）
　　阈值电压（Vth）：2~4V
　　输入电容（Ciss）：典型值1100pF（Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：典型值470pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值35ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-247

SDF04N60的核心优势在于其超结（Super Junction）结构技术的应用，该技术通过在N型外延层中嵌入P型柱状区域，实现了电荷平衡，从而大幅提升了器件的耐压能力，同时显著降低了导通电阻。这种结构使得SDF04N60在600V等级MOSFET中具备非常优异的Rds(on) × Qg（导通电阻与栅极电荷乘积）品质因数，有助于提高电源系统的整体效率。其低栅极电荷（Qg）特性减少了驱动损耗，使得器件在高频开关应用中表现更佳，例如在PFC升压电路或LLC谐振变换器中可有效降低开关节点的振荡和EMI干扰。
　　此外，SDF04N60具备良好的热稳定性，其Rds(on)随温度变化的非线性增长较缓，确保在高温工况下仍能维持较低的导通损耗。器件还内置了较强的体二极管，具有较快的反向恢复速度（trr约35ns），减少了在桥式或同步整流拓扑中因反向恢复引起的能量损耗和电压尖峰。该体二极管经过优化设计，能够承受一定的重复雪崩能量，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。
　　在可靠性方面，SDF04N60通过了严格的工业级测试标准，包括高温反偏（HTRB）、高温栅偏（HTGB）和功率循环测试，确保长期使用的稳定性。其TO-220/TO-247封装提供了优良的散热性能，便于安装在散热器上，适用于高功率密度设计。同时，器件具备良好的dv/dt和di/dt抗扰能力，降低了误触发风险，提高了系统在电磁干扰环境下的运行可靠性。这些综合特性使SDF04N60成为中等功率开关电源中的理想选择。

SDF04N60广泛应用于各类中高功率开关模式电源（SMPS）系统中，尤其适用于需要高能效和紧凑设计的场合。常见应用包括AC-DC适配器、PC电源、服务器电源、LED驱动电源以及工业控制电源模块。在功率因数校正（PFC）电路中，SDF04N60常被用作升压斩波开关，因其低导通电阻和快速开关特性，可显著降低传导和开关损耗，提升PFC级的整体效率。此外，该器件也适用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）和半桥式（Half-Bridge）拓扑结构，在这些拓扑中，SDF04N60能够承受高电压应力并实现快速响应，确保系统稳定运行。
　　在照明领域，SDF04N60可用于电子镇流器和高亮度LED驱动电路，支持宽输入电压范围和恒流输出控制。其快速开关能力有助于实现高频调光，提升照明系统的响应速度和调光精度。在电机驱动应用中，该器件可用于小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的驱动桥臂，配合PWM控制实现高效调速。由于其具备良好的抗雪崩能力和过载容忍度，SDF04N60也能在电动工具、家用电器等存在瞬态过压风险的环境中可靠工作。
　　此外，SDF04N60还可用于太阳能微逆变器、UPS不间断电源和电池充电管理系统等新能源与储能设备中，作为主开关或同步整流开关使用。其高耐压和低损耗特性有助于延长系统寿命并提升能量转换效率。总体而言，SDF04N60凭借其高性能和高可靠性，已成为多种中等功率电力电子系统中的关键元器件。

STP4NK60ZFP, FQP4N60, KSA4N60, 2SK3569, 2SC4486