时间：2025/9/2 6:53:21
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H5TQ4G63CFR-RDI 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片属于高带宽存储器，广泛应用于需要高速数据处理的电子设备，如计算机、服务器、网络设备和嵌入式系统中。
容量：4GB（Gigabit）
组织结构：x16位
封装类型：FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）
工作电压：1.35V
时钟频率：最高可达800MHz
数据速率：1600Mbps
CAS延迟：CL=11
工作温度范围：0°C至+85°C
封装尺寸：9mm x 13mm
接口类型：JEDEC兼容接口
H5TQ4G63CFR-RDI 是一款高性能的DRAM芯片，具备低电压操作特性，工作电压仅为1.35V，能够有效降低功耗，适用于对能耗敏感的系统设计。该芯片的接口兼容JEDEC标准，确保了与其他标准控制器的互操作性。
它的数据速率达到1600Mbps，支持高带宽数据传输，适用于高性能计算和大数据处理场景。此外，H5TQ4G63CFR-RDI 采用FBGA封装，具有良好的电气性能和热管理特性，适用于紧凑型设计并能承受一定的机械应力。其工作温度范围为0°C至85°C，适用于工业级环境条件下的稳定运行。
在时序特性方面，该芯片支持CL=11的CAS延迟，提供良好的时序控制灵活性。其封装尺寸为9mm x 13mm，适合在空间受限的PCB设计中使用。
H5TQ4G63CFR-RDI 主要用于需要高速数据存储和处理的设备，包括但不限于以下领域：服务器和工作站、高端个人计算机和笔记本电脑、通信设备（如路由器和交换机）、工业控制系统、嵌入式系统和智能设备。该芯片的低功耗和高性能特性使其成为现代高性能电子系统中的理想选择。
H5TQ4G63CFR-H9C, H5TQ4G63CMR-RDI, H5TQ4G63EFR
