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AON6998 发布时间 时间:2025/5/29 8:36:16 查看 阅读:11

AON6998是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电源管理应用,包括负载开关、DC-DC转换器、电池保护电路等。AON6998以出色的性能和可靠性著称,能够在高频率下实现高效能的功率转换。

参数

型号:AON6998
  类型:N-Channel MOSFET
  封装:SOT-23
  Vds(漏源电压):30V
  Rds(on)(导通电阻):75mΩ @ Vgs=4.5V
  Vgs(th)(阈值电压):1.2V ~ 2.5V
  Ids(连续漏极电流):4.2A
  f(tsw)(最大工作频率):5MHz
  功耗:480mW
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C

特性

AON6998是一种小型化的高效功率开关器件,具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关能力,支持高频应用,适合现代紧凑型设计需求。
  3. 小尺寸SOT-23封装,便于在空间受限的设计中使用。
  4. 高可靠性和稳定性,确保在各种严苛环境下的长期运行。
  5. 宽工作温度范围,适应从低温到高温的各种应用场景。
  6. 较低的栅极电荷(Qg),有助于减少开关损耗并提高动态性能。
  7. 阈值电压范围合理,可与多种控制逻辑兼容。

应用

AON6998广泛应用于各类电子设备中的功率管理环节,具体包括:
  1. 移动设备中的负载开关。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电池供电系统的保护电路。
  4. 消费类电子产品中的电源管理模块。
  5. 计算机外设及网络设备的开关控制。
  6. 电机驱动和LED照明中的开关组件。
  AON6998凭借其高性能和小体积,在便携式设备和高密度电路板设计中特别受欢迎。

替代型号

AON6999, AON6988, AO3400

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AON6998参数

  • 现有数量0现货
  • 价格3,000 : ¥3.77469卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N 沟道(双)非对称型
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)19A,26A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.2 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)13nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)820pF @ 15V
  • 功率 - 最大值3.1W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-PowerWDFN
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)