AON6998是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电源管理应用,包括负载开关、DC-DC转换器、电池保护电路等。AON6998以出色的性能和可靠性著称,能够在高频率下实现高效能的功率转换。
型号:AON6998
类型:N-Channel MOSFET
封装:SOT-23
Vds(漏源电压):30V
Rds(on)(导通电阻):75mΩ @ Vgs=4.5V
Vgs(th)(阈值电压):1.2V ~ 2.5V
Ids(连续漏极电流):4.2A
f(tsw)(最大工作频率):5MHz
功耗:480mW
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
AON6998是一种小型化的高效功率开关器件,具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低传导损耗,提升系统效率。
2. 快速开关能力,支持高频应用,适合现代紧凑型设计需求。
3. 小尺寸SOT-23封装,便于在空间受限的设计中使用。
4. 高可靠性和稳定性,确保在各种严苛环境下的长期运行。
5. 宽工作温度范围,适应从低温到高温的各种应用场景。
6. 较低的栅极电荷(Qg),有助于减少开关损耗并提高动态性能。
7. 阈值电压范围合理,可与多种控制逻辑兼容。
AON6998广泛应用于各类电子设备中的功率管理环节,具体包括:
1. 移动设备中的负载开关。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电池供电系统的保护电路。
4. 消费类电子产品中的电源管理模块。
5. 计算机外设及网络设备的开关控制。
6. 电机驱动和LED照明中的开关组件。
AON6998凭借其高性能和小体积,在便携式设备和高密度电路板设计中特别受欢迎。
AON6999, AON6988, AO3400