类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):45V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 1.25mA, 50mA
类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):45V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 1.25mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大):20nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):180 @ 2mA, 5V
功率 - 最大:350mW
频率 - 转换:125MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-23-3, TO-236-3, Micro3?, SSD3, SST3
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:*
厂商 |
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VISHAY |