类型：PNP晶体管
　　最大集电极电流：3A
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大基极电流：0.1A
　　最大功耗：2W
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

2SB682-D晶体管具有多项优异特性，使其在多种应用场景中表现出色。首先，其较高的集电极-发射极击穿电压（30V）使其能够在相对较高的电压环境下稳定工作，适用于电源管理和电压调节等应用。其次，晶体管的最大集电极电流为3A，具备较强的电流承载能力，适合用于中等功率的开关电路。
　　此外，2SB682-D的电流增益（hFE）范围较宽，从110到800不等，这使得它可以根据具体电路需求选择合适的增益等级，从而优化电路性能。晶体管的功耗为2W，具备良好的散热能力，能够在较高温度环境下正常运行，增强了其可靠性。
　　该晶体管采用TO-220封装形式，便于安装和散热，适用于印刷电路板（PCB）设计。其封装形式也使其在高频应用中表现出色，能够适应多种电子设备的需求。

2SB682-D晶体管广泛应用于多个电子领域。在电源管理方面，它常用于稳压电源、电池充电器和DC-DC转换器中，作为功率开关或调节元件。在工业自动化系统中，该晶体管可用于控制继电器、电机和电磁阀等负载，实现高效的开关控制。
　　在消费电子设备中，如音响系统、电视和家用电器，2SB682-D常用于音频放大和信号处理电路，提供稳定的放大性能。此外，它也适用于汽车电子系统，例如车灯控制、车载充电器和电动门窗控制系统等，能够承受一定的振动和温度变化，具备较高的环境适应性。
　　由于其良好的高频特性，2SB682-D还可以用于射频（RF）放大和调制电路，在通信设备和无线传输系统中发挥重要作用。

2SB732, 2SB1258, 2N3906