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SDE25X26-5A2G 发布时间 时间:2025/7/16 15:36:51 查看 阅读:6

SDE25X26-5FET 功率电子器件,广泛应用于功率转换、电机驱动和电源管理等领域。它采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等优点,能够有效提升系统的效率和稳定性。
  该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET,适合在高频和大电流环境下使用。其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK,便于散热设计和安装。

参数

最大漏源电压:50V
  连续漏极电流:26A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:50nC
  输入电容:1200pF
  总功耗:150W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关性能,支持高频应用,减少磁性元件体积。
  3. 良好的热稳定性,能够在高温环境下长时间运行。
  4. 内置反向恢复二极管,适合同步整流和续流电路。
  5. 提供强大的过流保护和短路耐受能力,增强可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且安全。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
  2. 电机驱动器中的逆变桥臂。
  3. DC-DC 转换器中的同步整流。
  4. 工业控制中的负载切换。
  5. 充电器和适配器中的功率开关。
  6. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备中的功率转换模块。

替代型号

IRF250N, FDP027N06L, BUK7Y2R8-40E

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