SDE25X26-5FET 功率电子器件,广泛应用于功率转换、电机驱动和电源管理等领域。它采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等优点,能够有效提升系统的效率和稳定性。
该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET,适合在高频和大电流环境下使用。其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK,便于散热设计和安装。
最大漏源电压:50V
连续漏极电流:26A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:50nC
输入电容:1200pF
总功耗:150W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
2. 高速开关性能,支持高频应用,减少磁性元件体积。
3. 良好的热稳定性,能够在高温环境下长时间运行。
4. 内置反向恢复二极管,适合同步整流和续流电路。
5. 提供强大的过流保护和短路耐受能力,增强可靠性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
2. 电机驱动器中的逆变桥臂。
3. DC-DC 转换器中的同步整流。
4. 工业控制中的负载切换。
5. 充电器和适配器中的功率开关。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备中的功率转换模块。
IRF250N, FDP027N06L, BUK7Y2R8-40E