时间：2025/8/18 21:12:54
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1417G-T8 是一种高压MOSFET晶体管，广泛应用于高功率电子设备中。它具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器等多种场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：17A
漏源电压：600V
栅源电压：±30V
导通电阻（Rds(on)）：0.27Ω
功率耗散：125W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
1417G-T8 MOSFET采用了先进的平面技术，具有出色的导通和开关性能。该器件的低导通电阻可以显著降低系统损耗，提高整体效率。此外，它具备较高的耐压能力，适用于600V高压系统。其TO-220封装形式便于安装和散热，适用于高功率应用环境。该器件在高温下依然保持稳定的电气性能，适合用于工业级设备和电源模块。由于其优异的可靠性和耐用性，1417G-T8在各种电力电子系统中得到了广泛应用。
1417G-T8 MOSFET主要应用于高压电源、开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、充电器、工业控制系统以及照明设备中。该器件特别适合需要高耐压和较高电流能力的功率开关应用。
FQA16N60C、1417G-T9、FDPF16N60
