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RFP70N03 发布时间 时间:2025/7/10 21:20:27 查看 阅读:8

RFP70N03是一种N沟道功率MOSFET,由Vishay公司生产。该器件采用TO-252(DPAK)封装形式,适用于各种功率转换和开关应用。RFP70N03以其低导通电阻(Rds(on))和高效率而著称,特别适合需要高性能、小尺寸解决方案的场合。
  该器件的工作电压为30V,能够承受较高的电流负载,并具有快速开关速度,这使得它非常适合于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电池保护等应用领域。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:70A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:19nC
  总功耗:16W
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

RFP70N03采用了先进的制造工艺,具有非常低的导通电阻,仅为4.5mΩ,从而显著减少了传导损耗并提高了系统效率。
  此外,其快速的开关速度有助于降低开关损耗,进一步提升性能。
  该器件还具备出色的热稳定性和鲁棒性,能够在极端环境条件下可靠运行。同时,其高雪崩能量能力增强了对瞬态电压的耐受能力。
  RFP70N03的紧凑型封装使其成为空间受限设计的理想选择,而其高电流承载能力则确保了在大功率应用场景中的卓越表现。

应用

RFP70N03广泛应用于各类功率电子设备中,包括但不限于以下领域:
  - DC-DC转换器:用于高效电源管理,特别是在降压或升压电路中发挥关键作用。
  - 电机驱动:适用于无刷直流电机(BLDC)以及其他类型的电机控制电路。
  - 负载开关:在便携式设备中用于动态管理不同负载的供电状态。
  - 电池保护:防止过流、短路等异常情况对电池组造成损害。
  - 工业自动化:如工业控制系统中的继电器替代方案,以实现更快、更可靠的切换功能。
  - 汽车电子:可用于汽车启停系统、电动助力转向等车载电子系统的功率控制部分。

替代型号

RFP50N06, IRFZ44N, FDP55N06L

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RFP70N03参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压30 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流70 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.01 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220AB
  • 下降时间25 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散150 W
  • 上升时间20 ns
  • 典型关闭延迟时间40 ns