时间:2025/12/28 12:58:21
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TSS-13LN+ 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的表面贴装(SMD)双向瞬态电压抑制二极管(TVS),专为保护敏感电子设备免受瞬态电压事件(如静电放电ESD、电感负载切换、雷击感应等)的影响而设计。该器件采用 SOD-523 封装,具有小型化、响应速度快、钳位性能优异等特点,广泛应用于便携式电子产品和高密度电路板设计中。TSS-13LN+ 属于硅基闸流管技术(Thyristor Surge Suppressor, TSS)产品线,与传统的 TVS 二极管相比,具备更低的漏电流和更长的使用寿命,在持续过压条件下表现出更高的稳定性。
TSS 器件的工作机制不同于标准的齐纳型 TVS,它在正常工作电压下呈现高阻抗状态,几乎不消耗系统功率;当线路电压超过其触发电压时,器件迅速进入低阻态,将浪涌电流旁路至地,从而有效钳制瞬态电压。一旦电流下降至维持电流以下,TSS 自动复位到高阻状态,无需人工干预或系统重启。这一特性使其特别适用于需要自动恢复功能的通信接口和电源线路保护场景。
类型:双向 TVS 二极管
封装:SOD-523
击穿电压(VBR):典型值 13.5 V
关态电压(VRWM):13 V
通态电压(VDRM):最大 14 V
触发电压(VBO):最大 18 V
维持电流(IH):最大 100 μA
峰值脉冲电流(IPP):1 A(8/20 μs 波形)
工作温度范围:-40 °C 至 +125 °C
存储温度范围:-55 °C 至 +150 °C
引脚数:2
极性:双向
TSS-13LN+ 的核心优势在于其基于可控硅结构的过压保护机制,能够在极短时间内响应高达数安培的瞬态电流冲击,并通过低导通阻抗将电压钳制在安全范围内。该器件在待机状态下的漏电流极低,通常小于 1 μA,在电池供电设备中可显著延长待机时间,减少不必要的能耗。其双向对称结构允许其在交流信号线路或双向直流线路中使用,无需考虑极性方向,简化了电路设计与布局流程。
相较于传统 TVS 二极管,TSS-13LN+ 在多次浪涌冲击后仍能保持稳定的电气特性,不易发生性能退化。这是由于其触发机制依赖于 PNPN 结构的雪崩击穿与正反馈过程,而非依赖于齐纳或雪崩二极管的耗尽区击穿,因此热应力累积较小,寿命更长。此外,该器件具备良好的温度稳定性,其触发电压随温度变化较小,确保在极端环境温度下依然可靠动作。
SOD-523 小型封装使得 TSS-13LN+ 非常适合用于空间受限的应用场合,例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。其表面贴装形式兼容自动化贴片工艺,提高了生产效率和焊接一致性。器件符合 RoHS 指令和无卤素要求,满足现代电子产品环保标准。同时,TSS-13LN+ 通过了 IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4 和 IEC 61000-4-5 等多项国际电磁兼容性测试标准,适用于工业级和消费级产品的 ESD 和浪涌防护需求。
TSS-13LN+ 广泛用于各类低压电子系统的瞬态保护,尤其适用于高速数据接口和电源轨的过压防护。典型应用场景包括 USB 接口(如 USB 2.0 和 USB Type-C 收发线路)、HDMI、RS-232、RS-485 等通信端口的 ESD 抑制。在这些高速信号路径中,器件的低电容特性(通常小于 10 pF)确保不会引入明显的信号失真或衰减,保障数据完整性。
在便携式设备中,TSS-13LN+ 常被部署于电池输入端、充电管理模块以及按键开关等易受人体静电影响的位置,防止因操作人员接触导致的瞬间高压损坏主控 IC 或电源芯片。此外,该器件也适用于工业传感器、PLC 模块、智能仪表中的信号调理电路保护,抵御来自继电器切换、电机启停等引起的感应电压尖峰。
在汽车电子领域,尽管其额定温度上限为 125°C,TSS-13LN+ 仍可用于部分非引擎舱内的车载信息娱乐系统或辅助控制单元中,提供一定程度的 ESD 和瞬态抑制能力。其自动复位功能避免了保险丝熔断后的更换维护,提升了系统可用性。总体而言,TSS-13LN+ 是一种高效、可靠且易于集成的保护元件,适用于多种对体积、功耗和可靠性有较高要求的应用场景。
TSM13LN-V