类型：HBM（High Bandwidth Memory）
　　容量：2GB
　　位宽：1024-bit
　　频率：1.2 Gbps（Gigabits per second）
　　封装形式：FCBGA（Flip-Chip Ball Grid Array）
　　电压：1.2V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口：HBM接口
　　数据速率：1.2 Gbps/pin
　　带宽：约240 GB/s（Gigabytes per second）

K4P2G324ED-FGC2 采用先进的3D堆叠封装技术，将多个DRAM芯片垂直堆叠在一个封装内，通过TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）技术实现高速互联，从而大幅提高内存带宽。该芯片的1024位宽接口远超传统GDDR5或DDR4内存的位宽，使得其带宽可以达到约240GB/s，适用于对带宽要求极高的GPU和AI加速卡。
　　此外，K4P2G324ED-FGC2 在功耗方面表现优异。由于HBM技术的低电压设计（1.2V），以及更短的信号路径和更紧凑的封装结构，该芯片在提供高带宽的同时，功耗和散热效率优于传统显存解决方案。这使得它非常适合用于对能效要求较高的数据中心和嵌入式系统。
　　该内存芯片的封装形式为FCBGA（倒装焊球栅格阵列），能够有效减小PCB布局面积，并提高信号完整性。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适合在各种工业级环境中稳定运行。

K4P2G324ED-FGC2 主要应用于高性能计算（HPC）、图形处理单元（GPU）、人工智能（AI）加速器、深度学习训练与推理设备、数据中心服务器以及高端显卡等需要极高内存带宽的系统中。其高带宽、低功耗和小尺寸特性使其成为现代AI芯片和GPU内存架构中的关键组件。

K4P2G324EC-FGC2 K4P2G324ED-FCGC