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IXTY90N055T2 发布时间 时间:2025/7/8 15:35:41 查看 阅读:10

IXTY90N055T2是由IXYS公司生产的一款N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于各种工业和消费类电子应用中的功率转换与控制。它广泛应用于电机驱动、DC-DC转换器、逆变器、开关电源等领域。

参数

最大漏源电压:550V
  最大连续漏极电流:90A
  导通电阻:0.14Ω
  栅极电荷:130nC
  总功耗:360W
  工作温度范围:-55℃ to +150℃
  封装形式:TO-247

特性

IXTY90N055T2具有以下主要特点:
  1. 高击穿电压:550V,确保其在高压环境下的可靠性。
  2. 极低的导通电阻:0.14Ω(典型值),降低传导损耗并提升效率。
  3. 快速开关性能:开关时间短,能够适应高频应用的需求。
  4. 热稳定性好:可在高达+150℃的工作温度下运行,满足恶劣环境的要求。
  5. 强大的电流处理能力:最大连续漏极电流为90A,适用于大功率场合。
  6. 封装坚固:采用TO-247标准封装,便于散热和安装。
  这些特性使其成为需要高效功率管理解决方案的理想选择。

应用

IXTY90N055T2适用于多种应用领域,包括但不限于:
  1. 工业电机控制:用于驱动不同类型的电机,如伺服电机和步进电机。
  2. 开关模式电源(SMPS):在AC-DC或DC-DC转换器中用作功率开关。
  3. 逆变器:用于太阳能逆变器以及其他电力电子设备中。
  4. 电动汽车和混合动力汽车:在车载充电器和电池管理系统中发挥重要作用。
  5. 通用功率转换和负载切换:在家电和其他消费类产品中实现高效的功率转换。

替代型号

IXTH80N055T2
  IRFP460
  FDP17N50

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IXTY90N055T2参数

  • 现有数量35现货
  • 价格1 : ¥23.05000管件
  • 系列TrenchT2?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)55 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)90A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8.4 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)42 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2770 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)150W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252AA
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63