制造商: DEC Electronics
　　类型: 功率MOSFET
　　最大漏极电流: 10A
　　漏源电压: 116V
　　封装类型: TO-220
　　工作温度范围: -55°C 至 +175°C
　　导通电阻: 0.15Ω
　　功率耗散: 1.5W
　　栅极电压范围: ±20V
　　频率响应: 1MHz

DEC10H116LDS 采用了先进的硅基功率MOSFET技术，使其在高电压和高电流环境下具有优异的性能表现。其低导通电阻（Rds(on)）显著减少了导通损耗，从而提高了整体系统的能效。此外，该器件的高耐压能力（116V）使其能够适用于中高压功率转换应用，例如开关电源、DC-DC转换器以及马达控制电路。
　　该器件的TO-220封装形式提供了良好的散热性能，有助于在高功率操作下保持较低的结温，延长器件的使用寿命。DEC10H116LDS 还具备出色的短路和过热保护能力，进一步增强了系统的可靠性。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C）使其适用于严苛的工业环境，如自动化控制系统、电源供应器以及通信基础设施。
　　此外，DEC10H116LDS 的栅极驱动设计优化，使得其能够与常见的PWM控制器兼容，从而简化了电路设计并提高了系统响应速度。其快速开关特性有助于降低开关损耗，提高整体系统效率，适用于高频开关应用。

DEC10H116LDS 广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于工业自动化设备、电源管理系统、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电动车充电器、LED驱动电源以及通信设备中的DC-DC转换模块。其高效能和高可靠性的特点使其成为工业控制和电源设计中的优选器件。

SiHF10N120R、IRF1010N、FDP10N110、STP10NM50N、IXFH10N120