SM6T47A是一款高性能的MOSFET功率晶体管,主要用于开关和放大应用。它采用了先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特点。该器件广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器以及各种工业控制领域。
SM6T47A属于N沟道增强型MOSFET,其设计能够承受较高的电流负载并保持较低的功耗。同时,该器件还具备出色的热稳定性和可靠性,适合在严苛的工作环境下使用。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:47A
导通电阻:0.042Ω
栅极电荷:135nC
输入电容:1680pF
工作结温范围:-55℃至+150℃
1. 高击穿电压(650V),适用于高压应用环境。
2. 极低的导通电阻(0.042Ω),有效降低传导损耗。
3. 快速开关特性,有助于减少开关损耗并提高效率。
4. 大电流承载能力(47A),满足高功率需求。
5. 良好的热性能,确保器件在高温下的稳定性。
6. 可靠性高,适合长时间运行的关键应用。
7. 符合RoHS标准,环保无铅封装。
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 逆变器
5. 工业自动化设备
6. 电动工具
7. 新能源系统(如太阳能逆变器)
8. 汽车电子中的电力控制系统