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SDCL1005C1N6STF 发布时间 时间:2025/12/28 10:35:22 查看 阅读:8

SDCL1005C1N6STF是一款由Samsung Electro-Mechanics(三星电机)生产的微型片式大电流电感器,属于其SDCL系列。该系列电感专为高密度、高性能的便携式电子设备设计,广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其它对空间和效率要求极高的电子产品中。SDCL1005C1N6STF采用先进的制造工艺和材料技术,能够在极小的封装尺寸下实现稳定的电感性能和较高的饱和电流能力。该器件为多层结构的绕线型功率电感,具有低直流电阻(DCR)、良好的温度稳定性以及优异的抗电磁干扰(EMI)特性。其小型化设计符合当前电子设备向轻薄化发展的趋势,同时保证了在高频开关电源环境下的可靠运行。由于其出色的热管理和电气性能,SDCL1005C1N6STF常用于DC-DC转换器、电压调节模块(VRM)、电源管理单元(PMU)等关键电源电路中,作为储能和滤波元件使用。此外,该电感器通过AEC-Q200认证,适用于部分车载电子应用,并具备良好的耐热性和机械强度,能够承受回流焊等SMT装配工艺的高温冲击。

参数

产品系列:SDCL
  型号:SDCL1005C1N6STF
  封装尺寸:1005(公制:1.0mm x 0.5mm)
  电感值:1.6nH
  允许偏差:±0.3nH
  直流电阻(DCR):典型值约45mΩ
  额定电流(Isat):约750mA(电感下降30%时)
  额定电流(Itemp):约1000mA(温升40°C时)
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  最大工作温度:+125°C
  自谐振频率(SRF):典型值大于6GHz
  屏蔽类型:金属屏蔽结构,降低磁泄漏
  安装方式:表面贴装(SMD)
  端子电极:镍/锡电镀,适用于无铅焊接
  符合标准:RoHS、REACH、AEC-Q200(部分等级适用)

特性

SDCL1005C1N6STF电感器的核心优势在于其在超小型封装内实现了高性能与高可靠性之间的平衡。
  首先,该器件采用了高导磁率铁氧体材料与精密绕线技术结合的设计方案,使得即使在1.0mm x 0.5mm的微小尺寸下仍能提供稳定的1.6nH电感值,并保持极低的直流电阻(DCR),从而有效减少功率损耗,提高电源转换效率。这对于电池供电设备尤为重要,有助于延长续航时间。
  其次,该电感具有优异的电流处理能力。其饱和电流(Isat)可达750mA,在电感值下降30%的情况下仍能正常工作,而温升电流(Itemp)更高达1000mA,表明其在持续负载下具备良好的热稳定性。这种双重电流指标的设计确保了在动态负载变化时不会因磁芯饱和而导致系统失效。
  再者,SDCL1005C1N6STF采用全屏蔽结构,显著降低了外部磁场辐射和对外部干扰的敏感性,提升了系统的电磁兼容性(EMC)表现。这一特性对于高频工作的射频模块、高速数字电路等噪声敏感区域至关重要。
  此外,该器件的工作温度范围宽达-55°C至+125°C,适应各种严苛环境条件,包括高温高湿和剧烈温度循环。其端子经过特殊电镀处理,增强了焊接可靠性和抗腐蚀能力,适合自动化贴片生产流程。
  最后,该电感器支持高速开关应用,自谐振频率(SRF)通常超过6GHz,使其能够在GHz级别的高频电路中保持良好的阻抗特性,避免因寄生效应导致性能下降。综合来看,SDCL1005C1N6STF是一款面向高端移动电子产品的高性能微型功率电感解决方案。

应用

SDCL1005C1N6STF主要应用于对空间占用极为敏感且需要高效能电源管理的便携式消费类电子产品中。
  在智能手机和平板电脑中,它常被用作处理器核心供电路径中的储能电感,配合DC-DC降压变换器实现高效的电压调节,满足SoC芯片在不同工作模式下的动态功耗需求。
  在射频前端模块(RF Front-End Module)中,该电感可用于匹配网络或滤波电路,因其高频特性和低损耗表现,有助于提升信号传输质量和系统灵敏度。
  此外,在可穿戴设备如智能手表、TWS耳机等产品中,由于内部空间极其有限,SDCL1005C1N6STF的小型化优势尤为突出,可用于电源轨滤波、LDO输入输出去耦以及PMIC周边电路设计。
  在摄像头模组、传感器供电电路中,该电感也发挥着稳定电压、抑制纹波噪声的作用,保障图像传感器和精密传感元件的正常工作。
  除此之外,该器件还可用于笔记本电脑的主板电源管理单元、内存模块供电电路以及部分车载信息娱乐系统的微型电源模块中,特别是在需要通过AEC-Q200认证的汽车级应用中,其可靠性和耐久性得到了广泛验证。
  随着5G通信、物联网和AI终端设备的发展,对高频、低损、小型化电感的需求持续增长,SDCL1005C1N6STF凭借其卓越的技术指标和成熟的大规模生产能力,已成为众多高端电子设计中的优选元件之一。

替代型号

MLG1005S1N6BT000
  LQM15AN1N6MGRL
  DLW1005Q1N6ET1Q
  PLT10051N6STFD

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