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FGH40T65SPD-F155 发布时间 时间:2025/4/28 16:46:59 查看 阅读:26

FGH40T65SPD-F155 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,专为高频开关应用而设计。该器件采用先进的工艺技术制造,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于各种电源管理和功率转换场景。
  该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,广泛用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等电力电子领域。其优化的设计使其在高频率工作条件下仍能保持较低的功耗和热量生成。

参数

最大漏源电压:65V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:28nC
  开关时间:典型值ton=11ns, toff=33ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

FGH40T65SPD-F155 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高效率。
  2. 快速的开关性能,适合高频应用场景。
  3. 高电流承载能力,支持高达 40A 的连续漏极电流。
  4. 紧凑的封装形式,节省电路板空间。
  5. 优异的热稳定性,能够在极端温度范围内可靠运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且无铅设计。

应用

该器件的主要应用领域涵盖:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  4. 电池保护电路和负载切换。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 其他需要高效功率转换和控制的应用场景。

替代型号

FGH40T65SPD-F150, FGH40T65SPD-F200

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FGH40T65SPD-F155参数

  • 现有数量30现货
  • 价格1 : ¥36.09000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)80 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)120 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.4V @ 15V,40A
  • 功率 - 最大值267 W
  • 开关能量1.16mJ(开),280μJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷35 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值16ns/37ns
  • 测试条件400V,40A,6 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)34 ns
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商器件封装TO-247-3