时间：2025/6/19 3:45:17
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YFW3N10B是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景，具有低导通电阻和快速开关速度的特性，适合高频应用。
YFW3N10B的设计使得其在功率转换和负载开关等应用中表现优异，同时具备良好的热稳定性和耐用性。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：3.6A
导通电阻：0.28Ω
栅极阈值电压：2V~4V
功耗：17W
工作温度范围：-55℃~150℃
YFW3N10B是一款高效能的MOSFET，其主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可有效降低功耗并提升效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用场景。
3. 小型化封装设计，便于PCB布局。
4. 具备出色的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 良好的电气性能和机械强度确保长期使用。
YFW3N10B适用于多种电子电路和设备，常见的应用场景包括：
1. 开关电源中的主开关管。
2. DC-DC转换器的同步整流管。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 电机驱动中的功率开关。
5. 各类工业控制和消费类电子产品中的功率管理模块。
该器件凭借其高效的性能和可靠性，成为许多功率转换和控制应用的理想选择。
IRFZ44N
STP36NF10
FDP5500
