SDC1368T1 时间：2025/9/3 14:49:20 阅读：17

SDC1368T1是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频开关应用，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。SDC1368T1采用先进的Trench沟槽技术制造，以实现更低的导通损耗和更高的开关性能。该MOSFET封装为TO-252（DPAK）形式，适用于表面贴装工艺，便于在各种电源管理电路中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：8.0A
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大40mΩ @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

SDC1368T1具备多项优异的电气和物理特性，适合用于高效率和高频率的开关电源设计。其主要特性包括：
　　1. **低导通电阻（RDS(on)）**：最大仅为40mΩ，在VGS=10V时，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。
　　2. **高耐压能力**：漏-源击穿电压为60V，使其适用于多种中低压功率转换应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机控制电路。
　　3. **高栅极电压容限**：栅-源最大电压为±20V，提供了更高的设计灵活性和抗电压尖峰能力。
　　4. **高电流承载能力**：最大连续漏极电流可达8A，适合中等功率级别的应用。
　　5. **优异的热性能**：TO-252封装具有良好的散热性能，可在高功率密度环境下稳定工作。
　　6. **高速开关性能**：由于采用了先进的Trench MOSFET技术，SDC1368T1具备较低的开关损耗，适合高频开关应用，如开关电源（SMPS）和同步整流器。
　　7. **可靠性高**：符合AEC-Q101汽车级标准，适用于对可靠性要求较高的汽车电子系统。

应用

SDC1368T1广泛应用于多种电力电子系统中，主要涵盖以下几个方面：
　　1. **开关电源（SMPS）**：由于其低导通电阻和高速开关特性，非常适合用于DC-DC降压/升压转换器、反激式和正激式电源拓扑中。
　　2. **电池管理系统（BMS）**：可作为高侧或低侧开关，用于电池充放电控制和保护电路。
　　3. **电机驱动和马达控制**：在H桥驱动电路中作为功率开关，用于控制直流电机的正反转和调速。
　　4. **负载开关和电源管理模块**：用于智能电源分配系统中的负载切换，提升系统的能效和安全性。
　　5. **汽车电子系统**：符合AEC-Q101标准，适用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等汽车应用。
　　6. **工业自动化与控制设备**：如PLC模块、伺服驱动器、变频器和不间断电源（UPS）等工业设备中。