时间：2025/8/6 9:02:14
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IXSH30N60CD1 是由 IXYS 公司生产的一款高功率、高性能的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高电压和高电流的工作环境，如电源转换器、电机控制、工业自动化和可再生能源系统等领域。该器件采用了先进的高压MOSFET技术，具有优异的导通和开关性能，能够在600V的漏源电压下可靠运行。该MOSFET封装形式为TO-247，便于安装在散热器上，适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：30A
功耗(Pd)：208W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.14Ω
栅极电荷(Qg)：典型值为97nC
输入电容(Ciss)：典型值为1520pF
封装类型：TO-247
IXSH30N60CD1 的主要特性之一是其出色的导通性能。在栅极驱动电压为10V时，其导通电阻Rds(on)的典型值仅为0.14Ω，这大大降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体效率。这种低导通电阻特性对于高电流应用尤为重要，因为它可以有效减少热量产生并提高系统的能效。
此外，该MOSFET具有较高的开关速度，能够实现快速的导通和关断，从而减少开关损耗。其栅极电荷Qg的典型值为97nC，这在高频率开关应用中尤为重要。较低的Qg值意味着栅极驱动电路所需的能量较少，有助于提高系统的整体效率。
IXSH30N60CD1 还具备较强的热稳定性。其最大功耗为208W，并且采用TO-247封装形式，便于连接散热器以有效散热。这使得该器件在高负载条件下也能保持稳定运行，适合长时间工作在严苛环境中。
另一个显著特性是其优异的抗雪崩能力。该器件设计有坚固的结构，能够承受高能量的雪崩击穿，从而提高器件的可靠性和耐用性。这一特性对于需要在高电压和高电流环境下运行的应用非常重要，能够有效防止因电压尖峰或电流冲击而导致的器件损坏。
此外，该MOSFET具有宽广的工作温度范围，从-55°C到150°C，使其能够在各种环境条件下稳定运行。这种宽温度范围的特性也使得IXSH30N60CD1适用于工业级和汽车级应用，能够在极端温度条件下保持良好的性能。
IXSH30N60CD1 广泛应用于需要高电压和高电流处理能力的电力电子系统中。常见的应用包括电源供应器、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动器、工业自动化设备以及太阳能逆变器等。由于其优异的导通性能和高可靠性，该器件特别适用于高频开关应用，能够有效提升系统的效率和稳定性。此外，该MOSFET还适用于需要高抗雪崩能力和宽工作温度范围的汽车电子系统和工业控制系统。
IXSH30N60CD1ST
IXFN30N60P
IXTH30N60C
