您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GMS34160TM

GMS34160TM 发布时间 时间:2025/9/1 14:09:22 查看 阅读:9

GMS34160TM 是一款由Giantec Semiconductor制造的高压、高功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高性能功率转换应用设计。这款晶体管具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压和优异的热性能,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及工业自动化设备等应用场景。GMS34160TM采用TO-220封装,提供良好的散热性能和稳定的电气特性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电压(Vds):600V
  最大栅极电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):12A
  导通电阻(Rds(on)):0.4Ω(最大)
  功耗(Pd):125W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-220

特性

GMS34160TM 的核心特性之一是其出色的导通性能,Rds(on) 最大值为0.4Ω,这意味着在高电流工作条件下,它能够有效降低功率损耗,提高系统效率。该器件的高耐压能力(Vds高达600V)使其适用于高压电源转换应用,例如离线式开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路。
  此外,GMS34160TM具有较强的热稳定性,其125W的最大功耗允许在较高环境温度下运行,而不易发生热失控。TO-220封装提供了良好的散热路径,有助于维持器件在高负载条件下的稳定工作。
  该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力和高耐用性,能够在瞬态高压或电流尖峰情况下保持可靠运行。其栅极驱动特性也较为优化,允许使用标准的10V至15V驱动电压,便于与多种控制IC配合使用。

应用

GMS34160TM 主要应用于高压功率转换系统中,如AC-DC开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机控制电路。由于其高压耐受能力和低导通损耗,它也非常适合用于LED照明驱动、工业自动化设备和智能家电中的功率开关。
  在开关电源设计中,GMS34160TM可以作为主功率开关使用于反激式或正激式拓扑结构中,实现高效能的能量转换。在电机驱动电路中,它可作为H桥结构中的高压侧或低压侧开关,提供快速响应和稳定的控制性能。
  另外,该器件也可用于高功率LED驱动电路,确保恒流输出和高效的电源管理。其在新能源系统如太阳能逆变器和储能系统中也有广泛的应用潜力。

替代型号

STP12NM60ND, FQA12N60C, IRFGB40N60B

GMS34160TM推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价