型号：SDB0630MT2R2
　　制造商：Diodes Incorporated
　　器件类型：双肖特基二极管（共阴极）
　　最大反向电压（VRRM）：30V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：600mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：5A（8.3ms单半波）
　　最大正向电压（VF）：500mV @ 300mA，25°C（每芯片）
　　最大反向漏电流（IR）：500μA @ 30V，25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD563（SC-96）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3
　　焊接温度（Tc ≤ 10s）：260°C
　　热阻抗（RθJA）：约350°C/W（依PCB布局而定）
　　低VF设计：优化导通损耗
　　无铅/符合RoHS：是
　　无卤素：是

SDB0630MT2R2的核心优势在于其低正向导通压降（VF），在典型工作条件下（300mA，25°C）仅为500mV左右，显著低于传统PN结二极管。这一特性极大地降低了导通期间的能量损耗，提高了电源系统的转换效率，尤其适用于对功耗敏感的移动设备和便携式电子产品。同时，由于采用了肖特基势垒结构，该器件具备极快的反向恢复时间（trr < 1ns），几乎不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关应用中表现出色，可有效减少开关过程中的能量浪费和电磁干扰问题。这种快速响应能力使其非常适合用于DC-DC升压或降压转换器中的同步整流替代方案，或作为续流二极管使用。
　　该器件采用双二极管共阴极拓扑结构，允许在同一封装内实现两个独立但共享阴极连接的肖特基二极管，适用于需要双路整流或逻辑“或”功能的电源路径管理。例如，在多电源输入选择电路中，可用于防止电流倒灌并实现自动电源切换。其SOD563微型封装尺寸仅为1.8mm × 1.6mm × 0.95mm，极大节省了PCB布板空间，满足现代消费类电子产品对小型化和高集成度的需求。尽管体积小巧，但该器件仍具备良好的热性能，能在+150°C的最高结温下持续工作，确保在高温环境下长期运行的稳定性与可靠性。
　　SDB0630MT2R2还具备出色的反向击穿耐受能力和较低的漏电流水平，在30V反向电压下的最大漏电流为500μA（25°C），有助于维持待机模式下的低静态功耗。此外，该产品经过严格的质量控制流程，符合AEC-Q101车规级可靠性标准的部分要求，适用于部分车载电子模块。其无铅、无卤素的设计也符合当前国际环保法规（如IEC 61249-2-21），支持绿色环保制造工艺。总体而言，SDB0630MT2R2是一款集高效、紧凑、可靠于一体的高性能肖特基二极管，适用于各类中低压直流电源系统。

SDB0630MT2R2广泛应用于多种中低功率电源管理场景。典型用途包括便携式消费类电子产品中的DC-DC转换器，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于提高电源转换效率并延长电池续航时间。在同步整流架构中，它可以作为MOSFET体二极管的替代元件，或配合控制器实现低成本同步整流方案。该器件也常用于电源适配器、USB充电模块和锂电池保护电路中，执行续流、反向隔离和电压箝位功能。在多电源系统中，利用其共阴极双二极管结构可构建理想的二极管“或”逻辑电路，实现主备电源之间的无缝切换，避免负载断电。此外，它还可用于LED驱动电路中的防倒灌保护、LDO稳压器输出端的反向电压防护，以及各种高频开关电源中的自由轮转二极管。由于其小尺寸和高可靠性，SDB0630MT2R2也被应用于工业传感器、通信模块和物联网终端设备中。对于需要在有限空间内实现高效能电源设计的应用来说，这款器件是一个理想选择。

SBM160ALT1G
　　BAT54CWSFT1G
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