类型：齐纳二极管
　　齐纳电压：5.1V
　　功率：200mW
　　封装类型：SOD-123
　　最大齐纳电流：20mA
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　最大反向漏电流（在测试条件）：100nA
　　最大齐纳阻抗：90Ω

LMBZ5231BT1G 齐纳二极管具有多项优异的电气特性，使其在多种应用中表现出色。首先，其齐纳电压为 5.1V，在额定电流下具有良好的稳定性，确保了电压调节的精确性。此外，该器件的动态阻抗较低，有助于减小电压波动，提高系统的稳定性。
　　该齐纳二极管采用 SOD-123 小型封装，适合高密度 PCB 设计，并支持表面贴装工艺，提高生产效率。其最大功率耗散为 200mW，最大齐纳电流为 20mA，适用于低功耗电路设计。
　　LMBZ5231BT1G 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应多种环境条件，适合工业级应用。同时，该器件的存储温度范围也较宽，从 -65°C 到 +150°C，增强了其在不同存储和运输条件下的可靠性。
　　在反向漏电流方面，LMBZ5231BT1G 在测试条件下最大为 100nA，确保了在低电流状态下仍能保持较高的效率。其最大齐纳阻抗为 90Ω，有助于减小电压随负载变化的波动，提高电路的稳定性。
　　由于其高精度、低漏电流和良好的温度特性，LMBZ5231BT1G 广泛用于模拟电路、电压参考源、电源管理电路以及各种需要稳定电压的电子系统中。

LMBZ5231BT1G 齐纳二极管广泛应用于需要稳定参考电压的场合，如电源管理模块、电池充电电路、ADC/DAC 基准电压源、仪表放大器、传感器接口电路以及各种工业控制设备。由于其小型封装和优良性能，也适用于便携式电子产品和嵌入式系统。

BZX84-C5V1, MMSZ5231B, 1N4733A, LMBZ5231B