SD840S 时间：2025/8/15 4:03:37 阅读：5

SD840S 是一款由 Sensit Semiconductor（赛恩蒂克）公司生产的高性能、低功耗的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动以及电池供电设备中。SD840S 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流承载能力，适用于高效能和高可靠性的电子系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：30V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　最大连续漏极电流 Id：4.4A（在 25℃）
　　导通电阻 Rds(on)：≤36mΩ（在 Vgs=10V）
　　阈值电压 Vgs(th)：1.0V~2.5V
　　工作温度范围：-55℃~150℃
　　封装形式：SOP-8、DFN-8 等

特性

SD840S MOSFET 具备多项优良的电气特性和物理特性。首先，其低导通电阻 Rds(on) 使得在高电流工作状态下功率损耗显著降低，从而提高系统效率并减少散热需求。其次，该器件的最大漏源电压为 30V，能够适应多种中低电压功率转换应用，如同步整流、负载开关和马达控制。
　　SD840S 的栅极驱动电压范围较宽，在 4.5V 至 20V 之间均可稳定工作，这使其兼容多种驱动电路，包括低压微控制器（MCU）或专用驱动 IC。同时，其阈值电压较低（1.0V~2.5V），有助于实现快速导通，提升开关性能。
　　此外，SD840S 具备较高的热稳定性与可靠性，能够在 -55℃ 至 150℃ 的宽温度范围内正常工作，适用于工业级和汽车电子应用。其封装形式通常为 SOP-8 或 DFN-8，体积小巧，便于 PCB 布局和高密度设计。
　　该 MOSFET 还具有良好的抗静电（ESD）能力和较高的短路耐受能力，提升了器件在复杂电磁环境中的稳定性与安全性。

应用

SD840S 常用于多种电源管理和功率控制应用中。例如，在同步整流 DC-DC 转换器中作为高侧或低侧开关，以提高转换效率；在电池管理系统（BMS）中作为充放电控制开关；在电机驱动电路中作为功率输出管；在 LED 驱动电路中用于恒流控制等。
　　此外，SD840S 也广泛应用于智能电表、便携式设备、电源适配器、工业自动化控制系统以及汽车电子模块中。其低导通电阻和高可靠性使其在高效率、低发热的设计中尤为受欢迎。