型号：CY7C261-45WMB
　　制造商：Cypress Semiconductor
　　存储容量：32K x 8位（256 Kbit）
　　访问时间：45 ns
　　工作电压：5V ± 10%
　　封装类型：52-pin PLCC
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　组织结构：32,768 字 × 8 位
　　输入/输出逻辑电平：TTL 兼容
　　最大静态电流：100 mA（典型值）
　　待机电流：10 μA（最大值）
　　控制信号：CE（Chip Enable）、OE（Output Enable）、WE（Write Enable）
　　数据保持电压：2.0 V 最小值
　　封装尺寸：符合 JEDEC 标准 PLCC 封装

CY7C261-45WMB具备多项关键特性，使其成为高性能嵌入式系统中的理想选择。首先，其高速访问时间为45纳秒，意味着处理器可以在极短时间内完成对SRAM的数据读写操作，显著提升系统响应速度和整体性能。这对于实时处理任务尤为重要，例如在网络交换机中进行数据包缓冲或在工业控制器中执行高速I/O扫描。其次，该芯片采用全静态CMOS设计，所有三态输出均能在无时钟驱动的情况下保持稳定状态，只要电源持续供电即可维持数据，无需像DRAM那样定期刷新，极大地降低了系统复杂性和功耗开销。
　　另一个重要特性是其低功耗表现。在正常工作模式下，尽管最大静态电流可达100mA，但在待机或掉电模式下，电流消耗可降至10μA以下，这使得CY7C261-45WMB非常适合用于电池供电或注重能效的系统中。同时，器件支持数据保持模式，当Vcc降低至2.0V时仍能保留存储内容，这一功能可在主电源中断时通过备用电池或超级电容维持关键数据不丢失，增强了系统的可靠性与容错能力。
　　此外，CY7C261-45WMB具备TTL电平兼容性，能够无缝连接到多种微处理器、微控制器和逻辑电路，无需额外的电平转换器，简化了硬件设计并减少了外围元件数量。其52引脚PLCC封装不仅满足工业标准，还支持表面贴装工艺，便于自动化生产和返修。整个芯片经过严格的质量控制和老化测试，确保在宽温范围内（-40°C至+85°C）长期稳定运行，适用于严苛的工业和通信环境。最后，该器件具有高抗干扰能力和良好的噪声抑制性能，能够在电磁干扰较强的现场环境中可靠工作，进一步提升了系统的鲁棒性。

CY7C261-45WMB的应用领域涵盖多个高要求的电子系统。在通信设备中，它常被用作帧缓冲器或协议处理单元的临时存储，例如在路由器、交换机和调制解调器中存储待转发的数据包，利用其高速读写能力实现低延迟传输。在工业自动化领域，该SRAM可用于PLC（可编程逻辑控制器）或运动控制器中，作为程序变量、I/O映射表或实时采样数据的暂存区，确保控制指令的及时响应。
　　在测试与测量仪器方面，如示波器、频谱分析仪等，CY7C261-45WMB可用于高速采集数据的缓存，配合ADC和DSP协同工作，保障信号处理的连续性和准确性。此外，在医疗设备、航空航天电子系统以及军事装备中，由于其高可靠性与宽温工作能力，也被用于关键任务的数据暂存模块。
　　该芯片还可用于老旧计算机系统或工控机的内存扩展板卡中，作为高速本地内存使用。由于其并行接口结构，特别适合与8位或16位微处理器（如80C31、68HC系列等）直接接口，广泛应用于legacy系统维护和升级项目。随着现代FPGA和ASIC的发展，CY7C261-45WMB也常作为协处理器的外部存储资源，用于存放配置信息、中间计算结果或查找表，充分发挥其异步访问灵活的优势。总之，凡是对稳定性、速度和兼容性有较高要求的嵌入式应用场景，都是CY7C261-45WMB的适用领域。

CY7C261-35WMB
　　CY7C261-55WMB
　　IS62C261-45NLP