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2SJ214STL 发布时间 时间:2025/9/7 13:30:57 查看 阅读:12

2SJ214STL 是一款由东芝(Toshiba)生产的 P 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电压、高电流的开关应用。该器件采用了先进的沟槽式(Trench)MOSFET 技术,提供出色的导通性能和热稳定性,适用于各种电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及马达控制等应用。2SJ214STL 采用小型表面贴装封装(SOP Advance),适用于自动化装配工艺,并具有良好的散热性能。

参数

类型:P 沟道 MOSFET
  漏源电压(VDS):-30V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):-5.0A
  导通电阻(RDS(on)):最大 80mΩ(在 VGS = -10V)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOP Advance(5 引脚)
  功率耗散(PD):4W

特性

2SJ214STL 的核心优势在于其高效的导通性能和良好的热管理能力。由于采用了先进的沟槽式 MOSFET 结构,该器件能够在高电流下保持较低的导通损耗,从而提升整体系统效率。其导通电阻(RDS(on))在 VGS = -10V 时最大为 80mΩ,确保在负载电流条件下实现最小的功率损耗。此外,该器件的封装设计(SOP Advance)具有优异的散热性能,使得在高功率密度应用中仍能保持稳定的工作状态。
  该 MOSFET 支持高达 5A 的连续漏极电流,并具有良好的短时过载能力,适合用于需要高可靠性和稳定性的应用场合。栅极驱动电压范围为 ±20V,兼容主流的 MOSFET 驱动电路,便于集成到各种功率管理系统中。另外,2SJ214STL 在工作温度范围 -55°C 至 +150°C 内均能稳定工作,适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。
  封装方面,SOP Advance 是一种优化的表面贴装封装,具备更小的尺寸和更高的散热效率,支持自动化装配流程,降低生产成本并提升产品的整体可靠性。该器件在电源管理、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关以及马达驱动等领域均有广泛应用。

应用

2SJ214STL 广泛应用于各类电源管理和功率控制电路中,包括但不限于:DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、马达驱动电路、LED 驱动器、工业自动化设备、便携式电子产品以及汽车电子系统等。其高效率和良好的热性能使其成为高功率密度设计中的理想选择。

替代型号

Si4435BDY, IPD90P03P4-01, AO4407

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