2SJ214STL 时间：2025/9/7 13:30:57 阅读：35

2SJ214STL 是一款由东芝（Toshiba）生产的 P 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压、高电流的开关应用。该器件采用了先进的沟槽式（Trench）MOSFET 技术，提供出色的导通性能和热稳定性，适用于各种电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及马达控制等应用。2SJ214STL 采用小型表面贴装封装（SOP Advance），适用于自动化装配工艺，并具有良好的散热性能。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-5.0A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 80mΩ（在 VGS = -10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOP Advance（5 引脚）
　　功率耗散（PD）：4W

特性

2SJ214STL 的核心优势在于其高效的导通性能和良好的热管理能力。由于采用了先进的沟槽式 MOSFET 结构，该器件能够在高电流下保持较低的导通损耗，从而提升整体系统效率。其导通电阻（RDS(on)）在 VGS = -10V 时最大为 80mΩ，确保在负载电流条件下实现最小的功率损耗。此外，该器件的封装设计（SOP Advance）具有优异的散热性能，使得在高功率密度应用中仍能保持稳定的工作状态。
　　该 MOSFET 支持高达 5A 的连续漏极电流，并具有良好的短时过载能力，适合用于需要高可靠性和稳定性的应用场合。栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容主流的 MOSFET 驱动电路，便于集成到各种功率管理系统中。另外，2SJ214STL 在工作温度范围 -55°C 至 +150°C 内均能稳定工作，适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。
　　封装方面，SOP Advance 是一种优化的表面贴装封装，具备更小的尺寸和更高的散热效率，支持自动化装配流程，降低生产成本并提升产品的整体可靠性。该器件在电源管理、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关以及马达驱动等领域均有广泛应用。