时间：2025/8/9 15:29:00
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FMH23N50ESCQ-P是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的功率MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，具有低导通电阻和高开关性能。该器件适用于高效率电源转换应用，如AC/DC电源、DC/DC转换器、适配器和充电器等。该MOSFET采用TO-247封装，便于散热，适合高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
连续漏极电流（ID）：23A
导通电阻（RDS(on)）：0.21Ω（最大值）
栅极电荷（Qg）：48nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
FMH23N50ESCQ-P采用富士电机独有的超级结结构，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提高了整体能效。该器件具有低导通电阻，确保在大电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗，减少发热。此外，其高雪崩能量耐受能力增强了器件在高应力环境下的可靠性。
这款MOSFET具备良好的热稳定性和耐用性，适用于高频率开关操作，有助于减小电源系统的体积和重量。其栅极驱动特性优化，使得驱动电路设计更加简单可靠，适用于多种拓扑结构，如反激式、正激式、LLC谐振转换器等。
由于其优异的电气性能和热管理能力，FMH23N50ESCQ-P特别适用于高功率密度电源设计，可广泛用于工业电源、服务器电源、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等领域。
该MOSFET广泛应用于各种高效率电源系统，包括工业电源、通信电源、服务器电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动汽车充电设备、适配器及电池充电器等。其高耐压和大电流能力使其在需要高效能转换的场合表现优异。
FMH23N50E(FUJI), FMH20N50E(FUJI), FCH23N50(Fairchild), FDPF23N50(Fairchild)
