2SK2292 时间：2025/8/9 14:44:42 阅读：30

2SK2292 是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高频率开关应用和功率放大电路中。该器件采用了先进的平面硅工艺技术，具有良好的导通特性和高耐压能力，适用于音频功率放大器、电源转换器以及电机控制等应用领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　漏源击穿电压（VDS）：100V
　　栅源击穿电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值55mΩ（当VGS=10V时）
　　最大功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

2SK2292 MOSFET具备低导通电阻的特性，这意味着在导通状态下，漏极与源极之间的电压降非常小，从而减少了功率损耗，提高了系统效率。该器件还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，延长使用寿命。此外，其高耐压特性使得它在高压应用中表现出色，适合用于需要高可靠性和高性能的功率电子设备中。
　　2SK2292 采用TO-220AB封装，这种封装形式具备良好的散热性能，便于安装在散热器上，确保器件在高负载条件下也能保持较低的工作温度。同时，TO-220AB封装也提供了较强的机械强度，适用于工业环境中的各种应用。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的最大栅源电压，这使得它可以与多种驱动电路兼容，包括常见的PWM控制器和微处理器输出。这种灵活性提高了其在不同电路设计中的适用性。

应用

2SK2292 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、音频功率放大器、电机驱动器和电池充电器等功率电子设备中。在音频放大器设计中，该器件能够提供高保真的输出信号，同时具备较低的失真率。在电机控制应用中，2SK2292可以作为H桥电路的一部分，实现对电机正反转的精确控制。此外，它也适用于各种工业自动化系统和电源管理系统，为设备提供高效、稳定的功率输出。