S116P21 时间：2025/8/28 4:12:44 阅读：7

S116P21是一款由STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件属于N沟道增强型MOSFET，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等多种场景。S116P21采用了先进的PowerFLAT封装技术，具有较低的导通电阻和优良的热性能，适合高电流和高频工作环境。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：16A
　　导通电阻（RDS(on)）：21mΩ @ VGS = 10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6
　　功率耗散（PD）：40W

特性

S116P21具有多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为21mΩ，在VGS为10V时可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件支持高达16A的连续漏极电流，适用于中高功率应用场景。
　　其次，S116P21采用PowerFLAT 5x6封装，具有良好的热管理性能，能够有效散热并维持稳定工作温度。这种封装形式还支持双面散热，进一步提升热效率，适合紧凑型设计和高密度PCB布局。
　　再者，该MOSFET具备较高的栅极电压耐受能力（±20V），增强了在高噪声环境下的可靠性。其工作温度范围宽达-55°C至+175°C，适用于各种严苛工作条件，如工业控制、车载电子和通信设备等。
　　此外，S116P21的开关性能优异，具有较低的开关损耗，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器。该器件的可靠性和耐用性也得到了广泛认可，符合AEC-Q101汽车电子标准，适合用于汽车电子系统。

应用

S116P21广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及汽车电子控制系统。其高效率和低导通电阻使其成为高效电源转换的理想选择，尤其适用于需要高电流和高频工作的场合。
　　在工业自动化领域，S116P21可用于PLC（可编程逻辑控制器）中的功率开关，实现对执行器和传感器的高效控制。在新能源领域，该器件可用于太阳能逆变器和储能系统的功率管理模块。此外，S116P21也适用于电动工具、无人机和机器人等需要高效功率控制的消费电子和工业设备。