型号：SD5001N
　　封装：TO-252 (D-PAK)
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：500V
　　栅源电压VGS：±30V
　　连续漏极电流ID（@25℃）：5.0A
　　脉冲漏极电流IDM：20A
　　导通电阻RDS(on)：≤1.8Ω（@VGS=10V）
　　导通电阻RDS(on)：≤2.2Ω（@VGS=5V）
　　阈值电压Vth：2.0~4.0V
　　输入电容Ciss：680pF（@VDS=25V）
　　输出电容Coss：170pF（@VDS=25V）
　　反向传输电容Crss：35pF（@VDS=25V）
　　栅极总充电量Qg：27nC（@VGS=10V, ID=5A）
　　反向恢复时间trr：30ns
　　工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃

SD5001N采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时典型值仅为1.8Ω，有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。这一特性使其在大电流开关应用中表现出色，尤其适用于需要长时间持续导通的电源系统。低RDS(on)还能减少发热，降低对散热设计的要求，从而有助于缩小终端产品的体积。
　　该器件具有较高的漏源击穿电压（500V），能够承受较高的瞬态电压冲击，适用于AC-DC电源适配器、离线式开关电源等高压应用场景。其栅源电压耐受能力达到±30V，增强了对栅极驱动电路异常情况（如过压或负压）的容忍度，提升了系统可靠性。
　　SD5001N的开关特性优异，输入电容和反向传输电容较小，配合较低的栅极电荷（Qg=27nC），使得器件在高频开关条件下仍能保持较低的驱动损耗和快速的开关响应。这对于提高DC-DC转换器的开关频率、减小磁性元件体积具有重要意义。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性，其最大工作结温可达150℃，支持在高温环境下长期稳定运行。TO-252封装提供了良好的散热路径，可通过PCB铜箔进行有效散热，适合高密度贴装设计。此外，器件通过了多项可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环等，确保在工业级应用中的长期稳定性。

SD5001N广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适用于中等功率级别的开关电源设计。在AC-DC适配器和充电器中，它常被用作主开关管或同步整流管，利用其低导通电阻和高开关速度来提升转换效率并降低温升。在LED驱动电源中，该器件可用于PWM调光控制或恒流输出调节，提供稳定的电流输出和高效的能量转换。
　　在DC-DC降压或升压转换器中，SD5001N可作为上桥或下桥开关使用，适用于基于Buck、Boost或Buck-Boost拓扑的电源模块。其500V的耐压能力也使其适用于PFC（功率因数校正）电路中的开关元件，帮助改善输入电流波形，满足能效标准要求。
　　此外，该器件还常见于工业控制设备中的电机驱动电路、继电器或电磁阀的驱动开关，以及电池供电系统的负载开关管理。在太阳能逆变器、UPS不间断电源和小型逆变设备中，SD5001N也可用于直流侧的功率切换和保护功能。得益于其TO-252封装的小型化和可自动化焊接特性，该器件非常适合现代电子产品对高集成度和高生产效率的需求。

IRF840
　　FQP50N06L
　　STP5NK50ZFP