RTYS03TTE75 时间：2025/12/28 16:07:35 阅读：8

RTYS03TTE75 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件采用先进的沟槽工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能。RTYS03TTE75 的封装形式为 TSMT（双面散热薄型封装），有助于在有限空间内实现高效的散热性能。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100 A
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（Rds(on)）：2.3 mΩ（典型值，@VGS=10V）
　　功耗（PD）：120 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TSMT（双面散热薄型封装）

特性

RTYS03TTE75 具有多个关键特性，使其适用于高功率和高效率的应用。首先，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，能够显著降低导通电阻（Rds(on)），从而减少导通损耗并提高系统效率。其 Rds(on) 典型值为 2.3 mΩ，在 10V 栅极驱动电压下可实现更低的功率损耗。
　　其次，RTYS03TTE75 采用 TSMT 封装技术，该封装不仅体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用，还具备双面散热能力，有助于在高电流工作条件下保持良好的热稳定性。这种封装形式使得器件能够在有限空间内实现高效散热，从而提高整体系统的可靠性和寿命。

应用

RTYS03TTE75 主要用于需要高效功率管理和高电流承载能力的场合。典型应用包括但不限于：DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、负载开关、电源分配系统、工业自动化设备、服务器电源以及车载电子系统（如车载充电器、电动助力转向系统等）。其优异的导通性能和热管理能力使其成为高效率电源设计的理想选择。