类型：肖特基二极管阵列
　　配置：共阴极双二极管
　　封装：SMA（DO-214AC）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流阻断电压（VR）：40V
　　平均整流电流（Io）：1.5A（单个二极管）
　　峰值浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms半正弦波）
　　正向压降（VF）：典型值0.48V，最大值0.6V（在1A, 25°C条件下）
　　反向漏电流（IR）：最大200μA（在40V, 25°C）；高温下不超过500μA（在40V, 125°C）
　　反向恢复时间（trr）：≤5ns（几乎无反向恢复电荷）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +125°C
　　储存温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：约70°C/W（标准FR-4 PCB测试条件）
　　引脚数量：2个主电极引脚（外部引出）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

SD43-142MLC的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这一结构决定了其低正向压降和超快开关特性的本质来源。与传统的PN结二极管相比，肖特基二极管利用金属-半导体接触形成势垒，而非P型与N型半导体之间的结。因此，在正向导通时，仅有多数载流子（电子）参与导电过程，不存在少数载流子注入和复合的现象，这就从根本上消除了反向恢复电荷（Qrr）的问题。实验数据显示，该器件的反向恢复时间通常小于5纳秒，远优于普通快恢复二极管（通常在几十到几百纳秒之间）。这意味着在高频开关应用中，如DC-DC升压/降压变换器、同步整流辅助电路中，能够极大减少开关损耗，提升电源转换效率，并有效抑制电磁干扰（EMI）的产生。
　　另一个关键特性是其低正向压降性能。在1A电流下，典型VF仅为0.48V，最大不超过0.6V，显著低于普通硅二极管的0.7V~1.2V范围。这一特性对于低电压大电流输出的电源系统尤为重要，例如用于USB供电、移动设备充电管理、LED驱动电源等场合，能有效减少传导损耗，降低温升，延长系统寿命。此外，器件具备较高的峰值浪涌电流承受能力（高达30A），可在瞬态过载或启动冲击电流情况下提供可靠的保护功能。
　　从可靠性角度看，SD43-142MLC经过严格的工业级测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环试验，确保在恶劣环境下仍保持稳定性能。其SMA封装采用模塑环氧树脂材料，具有优良的机械强度和防潮性能，同时支持自动贴片生产流程，兼容主流SMT生产线。热阻约为70°C/W，在标准四层FR-4 PCB上可实现良好的散热效果，满足持续工作下的热管理需求。

SD43-142MLC广泛应用于各类需要高效、快速整流的电子系统中。在开关电源（SMPS）领域，常被用作次级侧整流二极管，尤其是在低压输出（如3.3V、5V、12V）的反激式或正激式拓扑中，凭借其低VF和无反向恢复特性，可显著提升效率并简化磁性元件设计。在DC-DC转换器模块中，无论是非隔离型还是隔离型，该器件都可用作续流二极管或箝位二极管，防止电感反电动势损坏MOSFET开关管。
　　在电池供电设备中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，SD43-142MLC可用于电源路径管理、充放电保护和电压切换电路，因其低功耗特性有助于延长续航时间。在太阳能充电控制器、小型逆变器和UPS系统中，该二极管也常用于防反接和能量回馈控制。
　　此外，它还可用于信号级别的应用，如高频检波、逻辑电平钳位、ESD保护辅助网络以及模拟多路复用器中的隔离单元。在汽车电子系统中，虽然未专门标注AEC-Q101认证，但在非安全关键的小功率辅助电源或车载信息娱乐系统的电源模块中也有实际应用案例。工业控制板、通信设备电源、LED照明驱动电源等也是其常见应用场景。得益于SMA封装的小型化特点，特别适合空间受限的设计需求。

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　　 "SB43-142MLC",
　　 "SD43-140MLC",
　　 "SD43-160MLC",
　　 "MBR140",
　　 "RB156V-40"
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