2SK2563 时间：2025/8/20 22:54:40 阅读：3

2SK2563 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率放大器等应用。这款MOSFET设计用于高频开关应用，具有较低的导通电阻和快速开关特性，适合用于DC-DC转换器、电源管理和电池充电系统等。2SK2563采用SOT-23封装，体积小巧，适用于空间受限的设计。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：300V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：0.15A
　　功率耗散（PD）：150mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

2SK2563具备多项关键特性，适用于高性能电源管理应用。其最大漏源电压为300V，能够承受较高的电压应力，适用于高压环境下的工作条件。栅源电压范围为±20V，具有较强的栅极驱动能力，同时确保在高电压控制下的稳定性。
　　该MOSFET的导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高整体系统的能效。此外，2SK2563的开关速度较快，支持高频工作，适用于需要快速切换的电源转换器和功率放大器。
　　器件的最大连续漏极电流为0.15A，适用于小功率应用，如驱动小型负载或作为控制电路中的开关元件。其功率耗散为150mW，表明在小封装下仍能有效管理热量，避免过热损坏。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适合在极端环境条件下使用，如工业控制、汽车电子以及户外设备等应用。SOT-23封装形式不仅节省空间，还便于自动化生产和表面贴装，适合现代电子设备的小型化需求。

应用

2SK2563广泛应用于各种电源管理系统和功率控制电路中。由于其高压耐受能力和快速开关特性，常用于DC-DC转换器、LED驱动电路、电池充电器和电源开关电路。
　　在消费电子领域，2SK2563可用于小型电源适配器、便携式设备的功率管理模块以及智能家电中的控制电路。在工业自动化和控制系统中，该MOSFET可作为低功率开关，用于控制继电器、传感器和执行器等外设。
　　此外，2SK2563也适用于高频功率放大器、音频放大器和射频（RF）信号开关等模拟电路设计中。其封装形式适合高密度PCB布局，有助于降低整体系统成本并提高可靠性。