型号：SD400N20PC
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　器件类型：n沟道增强型MOSFET
　　封装类型：D2PAK (TO-263AB)
　　漏源电压VDS：200 V
　　栅源电压VGS：±30 V
　　连续漏极电流ID（@TC=25°C）：180 A
　　脉冲漏极电流IDM：720 A
　　功耗PD：350 W
　　导通电阻RDS(on) max（@VGS=10V）：3.2 mΩ
　　导通电阻RDS(on) max（@VGS=4.5V）：4.5 mΩ
　　阈值电压VGS(th) typ：3.0 V
　　输入电容Ciss：15000 pF
　　输出电容Coss：900 pF
　　反向恢复时间trr：45 ns
　　工作结温范围TJ：-55 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围：-55 °C 至 +175 °C

SD400N20PC采用Vishay先进的TrenchFET?技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能。其最大导通电阻在VGS=10V时仅为3.2mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其适用于大电流应用场景，如大功率DC-DC转换器和电机控制器。这种低RDS(on)特性不仅提高了能源利用效率，还减少了对散热系统的要求，有助于缩小整体电源模块的体积。
　　该器件具备高达200V的漏源击穿电压，能够在瞬态过压情况下保持稳定运行，增强了系统的鲁棒性。同时，其栅源电压额定值为±30V，提供了良好的抗静电能力和驱动兼容性，可在多种栅极驱动电路中安全使用。得益于优化的单元设计，SD400N20PC展现出较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），从而有效降低开关过程中的能量损耗，特别适合高频开关应用，例如谐振变换器和软开关拓扑结构。
　　在动态性能方面，SD400N20PC具有较低的输出电容和快速的反向恢复时间（典型值45ns），这使得体二极管在续流过程中表现出色，减少反向恢复引起的电磁干扰和额外损耗。这一特性对于桥式电路和H桥电机驱动尤为重要，可避免因二极管拖尾电流导致的直通风险。
　　热管理方面，D2PAK封装具备优良的热传导性能，结合内部低热阻设计（RθJC ≈ 0.35 °C/W），使器件在高负载条件下也能有效散热。其最大功耗可达350W，支持持续高功率运行。此外，该MOSFET的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，适应极端环境条件下的工业级应用需求。
　　可靠性方面，SD400N20PC通过了严格的AEC-Q101车规级认证测试，具备出色的抗湿性、抗机械应力和长期稳定性，适用于严苛工作环境。器件还内置了保护机制，如雪崩能量额定值较高，能承受一定的非钳位感性关断应力，提升了系统安全性。综合来看，SD400N20PC是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于追求高效率与高功率密度的设计场景。

SD400N20PC广泛应用于各类高功率电力电子系统中。其主要应用领域包括工业用大功率开关电源（SMPS），特别是在服务器电源、电信整流器和焊接设备中作为主开关或同步整流器件使用，凭借其低导通电阻和高电流承载能力，显著提升电源效率并降低温升。
　　在电机驱动系统中，该器件常用于直流无刷电机（BLDC）、伺服驱动器和变频器中的半桥或全桥拓扑结构，能够高效地实现能量转换与精确控制。由于其快速的开关响应和低栅极驱动需求，非常适合数字PWM控制下的高频调制操作。
　　在新能源领域，SD400N20PC可用于太阳能逆变器的直流侧开关模块，或储能系统的双向DC-DC变换器中，承担能量传输与隔离功能。其高耐压特性确保在光伏阵列输出电压波动时仍能稳定工作。
　　此外，该器件也适用于电动汽车车载充电机（OBC）、直流快充桩的辅助电源模块以及UPS不间断电源系统中的功率级设计。在这些应用中，器件的高可靠性与热稳定性至关重要，SD400N20PC的表现尤为突出。
　　其他潜在应用还包括大电流LED驱动电源、高频感应加热设备以及电镀电源等需要高效率、高电流切换能力的场合。由于其表面贴装封装形式，也便于实现自动化生产和紧凑布局，满足现代电子产品小型化与高集成度的趋势。

IRFP4468PbF
　　IPB041N20N
　　FDP200N20S