电容值：12pF
　　额定电压：500V
　　电介质材料：C0G (NP0)
　　容差：±0.5pF
　　封装尺寸：0805（2.0mm x 1.25mm）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：±30ppm/°C
　　绝缘电阻：≥10,000MΩ·μF
　　最大厚度：1.5mm
　　端接类型：镍阻挡层 / 锡镀层

HE3321C1200多层陶瓷电容器的核心优势在于其采用C0G（NP0）电介质材料，这种材料具有极其稳定的电气性能，在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）电容值变化不超过±30ppm/°C，远优于X7R、Y5V等其他介电类型。这意味着该电容器在高频和高温环境下仍能保持高度一致的电容特性，不会因环境波动导致电路失谐或性能下降，特别适用于对频率稳定性要求极高的射频前端模块、压控振荡器（VCO）、锁相环（PLL）以及精密滤波电路。其12pF的标称电容值配合±0.5pF的严格容差，使得器件可用于需要精确阻抗匹配的应用场合，例如天线调谐网络或高速数据传输线路中的信号完整性优化。
　　该器件具备500V的额定电压，显著高于常规低压MLCC，使其能够在承受瞬态高压或高能量脉冲的电路中安全运行，如开关电源反馈回路、DC-DC转换器去耦、感应加热控制等。同时，其绝缘电阻高达10,000MΩ·μF以上，漏电流极小，有效防止能量损耗和信号串扰，提升系统的能效与信噪比。结构上，HE3321C1200采用0805小型表面贴装封装，兼容标准SMT贴片工艺，便于集成于高密度PCB布局中，并通过优化内部电极叠层设计降低等效串联电感（ESL），从而扩展其有效工作频率范围，适用于GHz级射频应用。
　　此外，该电容器端电极为镍阻挡层加锡镀层结构，具备优异的可焊性与抗迁移能力，能够抵抗潮湿环境下的银离子迁移问题，提高长期使用的可靠性。产品符合RoHS指令，不含铅、镉等有害物质，适用于绿色电子产品设计。由于其出色的温度稳定性、高耐压能力和小尺寸特性，HE3321C1200常被用于汽车电子控制系统、工业传感器、医疗设备、通信基站模块以及航空航天电子系统中，作为关键的无源元件保障系统稳定运行。

HE3321C1200多层陶瓷电容器主要应用于对电容稳定性要求极高的高频与高可靠性电子系统中。典型应用场景包括射频匹配网络，在无线通信设备如Wi-Fi模块、蓝牙收发器、蜂窝基站射频前端中，用于实现天线与功率放大器之间的阻抗匹配，确保最大功率传输并减少信号反射。在振荡电路中，该电容常用于晶体振荡器或LC振荡器的负载电容配置，凭借其C0G材料带来的超低温度漂移特性，保障输出频率的高度稳定，适用于时钟生成单元、定时控制器和同步通信系统。
　　在滤波电路方面，HE3321C1200可用于构建高Q值带通或低通滤波器，尤其适合中高频段的噪声抑制和信号选择，常见于音频处理、测量仪器和雷达系统中。作为高频旁路电容，它可在高速数字IC（如FPGA、ASIC）的电源引脚附近提供低阻抗接地路径，有效滤除高频噪声，提升电源完整性（Power Integrity）。在电源管理系统中，特别是隔离式DC-DC转换器或反激式电源拓扑中，该器件可用于反馈回路中的补偿网络或高压采样分压电路，利用其500V耐压能力确保在高压侧工作的安全性与精度。
　　此外，该电容器也广泛应用于汽车电子领域，如车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和发动机控制单元（ECU），满足AEC-Q200可靠性标准，适应车辆运行中剧烈的温度变化与振动环境。在工业自动化设备、医疗成像装置及测试测量仪器中，HE3321C1200因其长期稳定性与低老化率，成为保障系统精度与寿命的关键元件。由于其小型化封装与高性能特性的结合，该器件还适用于空间受限但性能要求严苛的便携式电子设备和无人机控制系统。

GRM21BR71H121KA93L
　　CC05K120J5GAR
　　C2012X5R1H121K