型号：BLW60C
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　漏极电流（Id）@25℃：100A
　　漏极电流（Idm）@脉冲：400A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：≤3.2mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：≤4.0mΩ
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0~4.0V
　　栅极电荷（Qg）@10V：约90nC
　　输入电容（Ciss）：约3800pF
　　输出电容（Coss）：约750pF
　　反向恢复时间（trr）：约35ns
　　最大功耗（Pd）：200W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

BLW60C采用比亚迪自主研发的高性能沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，这使得在大电流工作条件下能够显著降低导通损耗，提升系统整体能效。其Rds(on)在Vgs=10V时不超过3.2mΩ，在同类60V N沟道MOSFET中处于领先水平，特别适用于电池供电系统、DC-DC变换器以及电动工具等需要高效能量转换的应用场景。低导通电阻还意味着更小的发热，有助于减少散热器尺寸或实现无散热器设计，从而节省空间和成本。
　　该器件具有优异的开关特性，得益于优化的芯片结构设计，其栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）均控制在较低水平，有效降低了开关过程中的驱动损耗和动态损耗，使BLW60C在高频开关应用中表现出色。例如，在同步整流Buck或Boost电路中，快速的开关响应可减少交叉导通时间，避免能量浪费，同时提升电源响应速度。此外，较低的反向恢复时间（trr）也减少了体二极管在反向恢复期间的能量损耗，进一步提高了效率。
　　BLW60C具备出色的热稳定性和可靠性，其最大工作结温高达+175℃，能够在恶劣的高温环境中长期稳定运行。器件通过了严格的质量认证和可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环等试验，确保在工业级和汽车级应用场景中的耐用性。封装采用TO-220形式，具有良好的热传导路径，可通过外接散热片将热量迅速导出，保障长时间满载工作的安全性。
　　在安全保护方面，BLW60C具有较高的雪崩能量承受能力，能够在电压瞬变或感性负载关断时吸收一定的能量而不损坏，提升了系统的抗干扰能力和使用寿命。此外，其栅极氧化层经过特殊处理，具备较强的抗静电（ESD）能力，减少了因操作不当导致的器件失效风险。综合来看，BLW60C是一款集高性能、高可靠性和高性价比于一体的功率MOSFET，适用于多种高要求的电力电子系统设计。

BLW60C广泛应用于各类中低压大电流功率转换系统中。常见应用包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、DC-DC降压/升压变换器，特别是在大电流输出的同步整流拓扑中，BLW60C凭借其低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升转换效率并降低温升。此外，它也被用于电动自行车、电动滑板车和其他轻型电动车的电机控制器中，作为主开关管或H桥驱动元件，实现高效的电机调速与能量回馈。
　　在工业控制领域，BLW60C可用于继电器替代、电磁阀驱动、直流电机驱动模块等需要高可靠开关的场合。由于其支持高达100A的连续漏极电流，适合驱动大功率负载，且在频繁启停过程中仍能保持稳定性能。在储能系统和备用电源设备中，BLW60C常被用作电池充放电回路的主控开关，配合保护电路实现过流、短路和反接保护功能。
　　消费类电子产品中，如大功率LED驱动电源、家用机器人、无人机电源管理单元等，也越来越多地采用BLW60C来实现紧凑高效的电源架构。其TO-220封装易于手工焊接和维修，适合中小批量生产和原型开发。此外，在太阳能充电控制器、便携式电源设备等绿色能源相关产品中，BLW60C因其高效率和高可靠性而受到青睐。总之，凡是需要60V耐压等级、大电流承载能力和高效率开关性能的应用，BLW60C都是一个极具竞争力的选择。

AP60L03GP-HF
　　IRF1404Z
　　SSO60N03S2L-25