时间：2025/6/24 7:44:28
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BSC252N10NSFG 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沯道功率 MOSFET。该器件采用了先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适合应用于高效率、高频开关电源转换器以及电机驱动等领域。
其封装形式为 DSO-8，这种封装具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，非常适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：26A
导通电阻（Rds(on)）：7.4mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：23nC（典型值）
输入电容：1790pF（典型值）
反向恢复时间：10ns（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
BSC252N10NSFG 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频应用，从而减少磁性元件体积并提高功率密度。
3. 高雪崩能力和鲁棒性，增强了器件在异常工作条件下的可靠性。
4. 具备优异的热性能，有助于在高功率应用场景中维持稳定的温度分布。
5. 小型化封装设计，适合对 PCB 空间有严格要求的设计方案。
6. 广泛的工作温度范围使其适用于多种环境条件下的工业和汽车应用。
BSC252N10NSFG 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如适配器、充电器及工业电源等。
2. DC/DC 转换器，用于电池供电设备或分布式电源系统。
3. 电机驱动控制，例如家用电器中的无刷直流电机驱动。
4. 太阳能微型逆变器和储能系统中的功率转换模块。
5. 各类高频功率开关应用，如 LED 驱动器和电磁炉。
此外，该 MOSFET 还可用于需要高性能功率开关的汽车电子设备中。
BSC252N10NS5, IRF540N, FDP252N
