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SD24C.TCT 发布时间 时间:2025/8/5 11:55:59 查看 阅读:21

SD24C.TCT 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)驱动器芯片,专为高功率和高频应用设计。该芯片采用先进的 BCD(双极-CMOS-DMOS)工艺制造,具备高驱动能力和良好的热性能,适用于工业电机控制、电源管理和汽车电子等领域。

参数

封装类型:TSSOP
  电源电压范围:4.5V 至 18V
  输出电流:高达 4A(峰值)
  工作温度范围:-40°C 至 150°C
  输入逻辑电平:兼容 3.3V 和 5V
  驱动方式:半桥驱动
  传播延迟:典型值 90ns
  上升/下降时间:典型值 15ns

特性

SD24C.TCT 的设计使其能够在高频率和高功率环境下稳定运行,具备出色的热管理能力,能够在严苛的工作条件下保持性能。其内部集成了欠压保护(UVLO)和过热保护(OTP)功能,确保系统在异常情况下的安全运行。此外,该器件采用紧凑的 TSSOP 封装形式,有助于节省 PCB 空间,同时支持高密度的电路设计。
  其高驱动电流能力可以有效驱动大功率 MOSFET 或 IGBT,从而提高整体系统的效率。SD24C.TCT 还具有低静态电流和低功耗的特性,适用于对能效要求较高的应用。芯片内部的死区时间控制功能可防止上下桥臂直通,确保系统运行的可靠性。

应用

SD24C.TCT 常用于需要高效功率转换和控制的系统中,如工业电机驱动、无刷直流电机(BLDC)控制器、伺服电机驱动器、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器、电动车充电器以及汽车电动助力转向系统(EPS)等。在这些应用中,SD24C.TCT 能够提供高效的驱动能力,同时确保系统的稳定性和安全性。

替代型号

L6384E, IRS2004, DRV8412

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SD24C.TCT参数

  • 标准包装1
  • 类别过电压,电流,温度装置
  • 家庭TVS - 二极管
  • 系列-
  • 电压 - 反向隔离(标准值)24V
  • 电压 - 击穿26.7V
  • 功率(瓦特)350W
  • 电极标记双向
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-76,SOD-323
  • 供应商设备封装SOD-323
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称SD24CDKR