产品系列：CL
　　封装尺寸：3.2mm x 1.6mm x 1.1mm
　　EIA尺寸代码：1206
　　电感值：0.56μH
　　电感公差：±10%
　　直流电阻（DCR）：典型值约0.32Ω
　　额定电流（Irms）：约450mA（因温度上升40°C）
　　饱和电流（Isat）：约600mA（电感下降30%）
　　自谐振频率（SRF）：最低约1.2GHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　端电极类型：Ni/Sn镀层，无铅兼容
　　磁屏蔽结构：内置磁性材料实现闭磁路设计
　　安装方式：表面贴装（SMT）

CL321611T-R56K-N采用多层陶瓷共烧技术（LTCC），通过将精细的导电浆料图案与陶瓷介质层交替印刷并高温共烧成型，形成三维螺旋绕组结构，从而在微小体积内实现较高的电感密度和优异的高频响应性能。这种结构不仅显著提升了单位体积的能量存储能力，还有效降低了电磁干扰（EMI）辐射，因其具备天然的磁屏蔽特性，减少了对邻近元件的影响，特别适用于高密度PCB布局环境。
　　该电感器的核心优势之一是其出色的电流处理能力。在0.56μH的电感值下，其饱和电流可达约600mA，意味着在大电流瞬态负载条件下仍能维持电感值不发生剧烈衰减，确保电源系统的稳定性。同时，其直流电阻（DCR）控制在较低水平（典型值0.32Ω），有助于减少铜损，提高DC-DC转换效率，尤其适合电池供电设备中对功耗敏感的应用场景。
　　频率特性方面，CL321611T-R56K-N的自谐振频率（SRF）高达1.2GHz以上，使其在数百MHz至GHz级别的射频电路中依然保持良好的阻抗特性，避免因接近或超过SRF而导致电感失效的问题。这一特性使其广泛应用于智能手机、平板电脑、无线模块等高频信号路径中的滤波、匹配和储能环节。
　　热稳定性方面，该器件使用高性能铁氧体复合陶瓷材料作为磁芯介质，具有较低的温度系数，确保在-55°C至+125°C的工作温度范围内电感值变化较小。此外，其端子采用镍锡（Ni/Sn）双层镀膜工艺，具备优良的可焊性和耐腐蚀性，支持无铅回流焊接工艺，符合现代绿色制造要求。整体结构坚固，抗机械冲击和振动能力强，适合车载电子、工业控制等严苛环境下的长期运行。

CL321611T-R56K-N主要用于高频开关电源电路中，特别是在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中作为DC-DC降压或升压转换器的储能电感，发挥其小尺寸、低损耗和高电流承载能力的优势。在这些应用中，它能够高效地储存和释放能量，配合PWM控制器实现稳定的电压输出，提升电源效率并延长电池续航时间。
　　在射频前端模块（RF Front-End Module）中，该电感常用于LC滤波网络、阻抗匹配电路以及偏置馈电线路（Bias Tee）中，利用其高频特性和低寄生效应优化信号传输质量，增强无线通信性能，支持Wi-Fi、蓝牙、LTE乃至5G NR频段的操作。
　　此外，该器件也适用于各种模拟信号调理电路，例如低噪声放大器（LNA）输入输出匹配、射频功率放大器（PA）输出滤波等场合，帮助抑制杂散信号和提高系统信噪比。
　　在嵌入式系统和物联网设备中，CL321611T-R56K-N可用于电源去耦、噪声抑制和EMI滤波，保障MCU、传感器和无线收发芯片的稳定运行。其紧凑的1206封装形式便于在空间受限的设计中布局，同时保持良好的散热性能和电气可靠性。
　　工业和汽车电子领域也有广泛应用，例如车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电、CAN/LIN总线电源滤波等，得益于其宽温工作能力和高可靠性，能够在复杂电磁环境中长期稳定运行。

CL321611T-R56K
　　 SLF1210T-561MR57
　　 DLW32SH-561XK2
　　 IMC1210-R56K
　　 PLT1210Y-R56K