SD1100C30C 时间：2025/12/26 21:02:30 阅读：15

SD1100C30C是一款由华润微电子有限公司（CR Micro）推出的高性能硅碳化物（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率的电力电子应用而设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具备优异的热稳定性和高频开关特性，适用于各类对效率和功率密度要求较高的电源系统。SD1100C30C具有零反向恢复电流、低正向压降和快速开关响应等优点，能够显著降低开关损耗并提升系统整体能效。该器件广泛应用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、服务器电源以及不间断电源（UPS）等领域。其封装形式通常为TO-220或类似标准封装，便于散热管理与模块集成，适合在高温、高压环境下长期稳定运行。

参数

类型：SiC肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：1200V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：10A
　　最大正向电压（VF）：1.75V @ 10A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：100μA @ 1200V, 25°C；1mA @ 1200V, 125°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220AC
　　热阻结到壳（RθJC）：2.5°C/W 典型值

特性

SD1100C30C的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）材料的物理特性，使其在高温、高压和高频工作条件下表现出远超传统硅基二极管的性能。首先，该器件具有零反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），这意味着在反向偏置时不会产生反向恢复电流尖峰，从而极大降低了开关过程中的电磁干扰（EMI）和开关损耗，特别适用于高频DC-DC变换器和PFC电路中。其次，其正向导通压降较低，在额定电流下仅为1.75V左右，虽然略高于部分硅二极管，但结合其无反向恢复特性，整体功耗更低，系统效率更高。
　　此外，SD1100C30C具备出色的热稳定性，可在高达175°C的结温下持续工作，确保在高负载或散热受限的应用场景中仍能保持可靠运行。其宽禁带半导体材料还赋予了器件极低的反向漏电流，即使在高温环境下（如125°C时漏电流小于1mA），也能维持良好的阻断能力，避免因漏电导致的热失控问题。器件的TO-220封装设计有利于通过散热片进行有效热传导，提升功率密度和长期可靠性。同时，该产品符合RoHS环保要求，支持自动插件和回流焊工艺，便于大规模生产装配。由于其优异的动态性能和热管理能力，SD1100C30C在替代传统快恢复二极管或硅基PIN二极管方面具有显著优势，是现代高效能电源系统的理想选择。

应用

SD1100C30C因其优异的电气和热性能，被广泛应用于多种高要求的电力电子系统中。在工业电源领域，常用于有源功率因数校正（PFC）电路中的升压二极管，能够有效减少开关损耗，提高整机效率。在太阳能光伏逆变器中，该器件作为直流侧的防反接或续流二极管使用，能够在高日照和高温环境下稳定工作，延长系统寿命。在电动汽车车载充电机（OBC）和直流充电桩中，SD1100C30C可用于高压DC-DC转换器中的整流元件，帮助实现更高的能量转换效率和更紧凑的系统设计。
　　此外，该器件也适用于服务器电源、通信电源和不间断电源（UPS）等高端电源设备，特别是在追求高功率密度和高效率的液冷或风冷电源模块中表现突出。在电机驱动系统中，可作为IGBT或MOSFET的续流二极管，利用其无反向恢复特性减少换流过程中的电压振荡和能量损耗。由于其耐高温和高可靠性的特点，也可用于轨道交通、智能电网等对安全性和稳定性要求极高的工业应用场景。总之，凡是需要在高压、高频、高温条件下实现高效能量转换的场合，SD1100C30C都是一种极具竞争力的解决方案。